一种半导体工艺设备及气体分布组件制造技术

本申请涉及半导体工艺技术领域，具体涉及一种半导体工艺设备及气体分布组件。由于气体分布组件的布气通道有至少两个，布气阀结构中的主动磁性件能够带动从动磁性件运动，使从动磁性件改变布气通道的通流面积，从而调节布气通道中的气流量，改变气体的分布模式。相比目前固定的气体分布模式，本申请中的气体分布组件中气体的分布模式可以调节，能够更好的适应不同的工艺和材料对气体不同的需求，改善了目前的气体分布系统中气体的分布模式对不同气体需求适应性差的问题。另外，主动磁性件通过与从动磁性件的磁性作用力驱动从动磁性件，能够减小零部件之间的磨损，增强设备的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体工艺，具体涉及一种半导体工艺设备及气体分布组件。

技术介绍

1、在半导体制造工艺中，向半导体工艺设备的反应室喷入的气体的流量、流向和分布均匀性直接影响刻蚀和薄膜沉积等加工精度与产品质量。传统的气体分布系统通常采用固定出气孔结构，难以满足不同工艺的灵活需求。

2、目前的半导体工艺设备的气体分布结构中，气体从外部气源引入反应室内，将气体按照预先设计的布气孔分布到反应室内，气体布气盘上的分布孔的形状和位置决定了气体的分布模式，这种固定的气体分布模式对不同工艺和材料的气体需求适应性差。

技术实现思路

1、本申请的目的提供一种用于半导体工艺设备的气体分布组件，用以改善目前的气体分布系统中气体的分布模式对不同气体需求适应性差的问题。

2、另外，本申请的目的还在于提供一种使用上述气体分布组件的半导体工艺设备。

3、第一方面，一种实施例中提供一种气体分布组件，包括：

4、进气盖，所述进气盖具有进气孔，所述进气孔供气体进入；

5、布气盘，所述布气盘具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种气体分布组件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的气体分布组件，其特征在于，所述主动磁性件处于所述进气盖背向所述布气盘的一侧，所述从动磁性件与所述主动磁性件在所述进气盖厚度方向上间隔布置，所述从动磁性件处于所述气体分布组件内，所述进气盖隔开所述从动磁性件与所述主动磁性件。

3.如权利要求1或2所述的气体分布组件，其特征在于，所述从动磁性件包括从动磁环，所述主动磁性件包括主动磁环，所述从动磁环与所述主动磁环同轴布置；所述主动磁环通过带动所述从动磁环转动，以改变所述布气通道的通流面积。

4.如权利要求3所述的气体分布组件，其特征在于，所述布气...

【技术特征摘要】

1.一种气体分布组件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的气体分布组件，其特征在于，所述主动磁性件处于所述进气盖背向所述布气盘的一侧，所述从动磁性件与所述主动磁性件在所述进气盖厚度方向上间隔布置，所述从动磁性件处于所述气体分布组件内，所述进气盖隔开所述从动磁性件与所述主动磁性件。

3.如权利要求1或2所述的气体分布组件，其特征在于，所述从动磁性件包括从动磁环，所述主动磁性件包括主动磁环，所述从动磁环与所述主动磁环同轴布置；所述主动磁环通过带动所述从动磁环转动，以改变所述布气通道的通流面积。

4.如权利要求3所述的气体分布组件，其特征在于，所述布气通道包括环形通道和调节通道，至少两个所述布气孔与同一个所述环形通道连通；所述环形通道通过所述调节通道与所述进气孔相通；各所述布气通道的环形通道同心布置；各所述调节通道均具有供气体进入的调节口，各所述调节通道的调节口呈环形布置，所述从动磁性件通过调节所述调节口的通流面积调节所述布气通道中的气流量。

5.如权利要求4所述的气体分布组件，其特征在于，所述从动...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭志明，林志恒，
申请(专利权)人：中锃半导体深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：