【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装，特别涉及一种超精细超高深宽比垂直互连结构的制备方法及其结构。
技术介绍
1、先进封装技术是“后摩尔时代”实现成本可控条件下，集成电路功能、性能提升的有效解决方案之一。先进封装技术按照工艺路线主要可以分为2d平面集成、2.5d集成和3d集成技术，其中2.5d、3d立体集成技术通过垂直互连结构实现芯片在空间上的垂直互连，能够大幅度地降低芯粒间互连长度，提高数据传输带宽，提高集成度。
2、目前业内主流的垂直互连结构制备方式通常为在基底材料上通过湿法或者干法工艺刻蚀通孔，然后在通孔内通过电镀工艺填充金属导电材料，上述方法可以有效制备出高密度的垂直互连结构。在垂直互连工艺中，通孔的深宽比是一项重要指标，主流的垂直互连结构制备工艺受制于通孔刻蚀工艺的影响，很难进一步突破细直径通孔的制备。
3、为满足“后摩尔时代”2.5d、3d立体集成技术对超精细超高密度的垂直互连通道的需求，亟需开发一种工艺简单且指标先进的垂直互连结构制备方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种超精细超高深宽比垂直互连结构的制备方法及其结构，以解决
技术介绍
中的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种超精细超高深宽比垂直互连结构的制备方法，包括如下步骤：
3、基于临时晶圆载板依次制备第一层介质层和第一层互连线；
4、多次循环上述步骤形成多层介质层和多层互连线的垂直互连结构；
5、减薄最顶层的介质层并移除底部的
6、对制备的垂直互连结构进行划片形成单独的互连结构，并将单独的互连结构进行堆叠。
7、在一种实施方式中，所述介质层通过abf压膜、减薄工序制备而成，所述互连线通过溅射、光刻、电镀、去胶、刻蚀工序制备而成。
8、在一种实施方式中，所述互连线为线条结构，长度和厚度可控；后续拼接旋转后，互连线的水平结构长度转变为垂直结构深度，水平结构厚度转变为垂直结构宽度。
9、本专利技术还提供一种超精细超高深宽比垂直互连结构，基于上述制备方法制备而成。
10、本专利技术提供的一种超精细超高深宽比垂直互连结构的制备方法及其结构，可解决传统垂直互连结构制备刻蚀工艺难度大、通孔直径难以进一步突破减小的问题，可实现垂直互连结构制备工序简易化且核心工艺指标进一步提升，满足“后摩尔时代”2.5d、3d立体集成技术对超精细超高密度的垂直互连通道的需求。
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1.一种超精细超高深宽比垂直互连结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的超精细超高深宽比垂直互连结构的制备方法，其特征在于，所述介质层通过ABF压膜、减薄工序制备而成，所述互连线通过溅射、光刻、电镀、去胶、刻蚀工序制备而成。
3.如权利要求1所述的超精细超高深宽比垂直互连结构的制备方法，其特征在于，所述互连线为线条结构，长度和厚度可控；后续拼接旋转后，互连线的水平结构长度转变为垂直结构深度，水平结构厚度转变为垂直结构宽度。
4.一种超精细超高深宽比垂直互连结构，其特征在于，基于权利要求1-3任一项所述制备方法制备而成。
【技术特征摘要】
1.一种超精细超高深宽比垂直互连结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的超精细超高深宽比垂直互连结构的制备方法，其特征在于，所述介质层通过abf压膜、减薄工序制备而成，所述互连线通过溅射、光刻、电镀、去胶、刻蚀工序制备而成。
3.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁渊，夏晨辉，王刚，于宗光，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：
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