【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备，特别是涉及一种前道检测设备及其控制方法。
技术介绍
1、在一些用于半导体制造的前道检测设备(例如电子束缺陷复检设备(dr-sem)、关键尺寸量测装备(cd-sem))的应用场景中，其在高真空的主腔室(main chamber)内对光刻之后的晶圆(wafer)进行缺陷检测或关键尺寸量测，主腔室的真空度是决定缺陷检测和关键尺寸量测的重要手段之一。当前，一些经特殊光刻工艺加工后的晶圆，通常会在进入主腔室之前，在传送室(load lock)内按照定时任务执行模式(fix delay)的抽真空方案，以促使这些晶圆上的光刻胶中气体被释放，避免这部分气体破坏主腔室的高真空环境；其中，定时任务执行模式的抽真空方案是一种按照一个固定抽真空时间对传送室进行抽真空处理的方案。然而，该抽真空方案在晶圆前道检测上存在较大的局限性，例如其中固定抽真空时间(假如是10min)的组成是一段进行光刻胶中气体释放的有效时间(即如所述10min中前7min)、和另一段起到冗余保护作用的等待时间(即如所述10min中剩余的后3min)，该等待时间对于大多数晶圆的前道检测是无用的，从而引起晶圆进行前道检测的时间被浪费、效率降低，进而导致前道检测设备的吞吐量(throughput)受到过大制约。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的前道检测设备。
2、本专利技术的一个目的是解决现有定时任务执行模式的抽真空方案引起的晶圆前道检
3、本专利技术的又一个目的是提高抽真空后对传送室真空值检测的准确性，以实现提高检测精度的目的。
4、具体地，本专利技术提供的一个方面，本专利技术提供了一种前道检测设备的控制方法，所述前道检测设备包括用于进行晶圆检测的主腔室，所述主腔室经真空传送阀连接传送室，所述真空传送阀配置成连通或隔断在所述主腔室和所述传送室之间；所述传送室经至少一个气阀连接至少一个抽气泵，至少一个所述抽气泵配置成对所述传送室抽真空；以及，
5、所述控制方法包括：
6、s100，在所述晶圆处于所述传送室内、且所述真空传送阀关闭的情况下，打开至少一个所述气阀，并在第一设定时间内控制至少一个所述抽气泵持续地对所述传送室抽真空；
7、s200，对所述传送室抽真空达到所述第一设定时间后，关闭所有所述气阀，并获得所述传送室的真空状态；
8、s300，判断所述传送室的真空状态是否满足预设条件；
9、s400，如满足，则打开至少一个所述气阀，并继续对所述传送室抽真空，直至所述传送室的真空值达到传片真空阈值后，允许打开所述真空传送阀并将所述晶圆从所述传送室传送至所述主腔室；其中所述传片真空阈值小于或等于所述主腔室的设定真空值。
10、优选地，在所述s200中，获得所述传送室的真空状态，包括：
11、获得在关闭所有所述气阀第二设定时间后所述传送室的真空值，记为第一真空值；以及，
12、在所述s300中，所述预设条件包括所述第一真空值小于或等于第一真空阈值，所述第一真空阈值大于或等于所述传片真空阈值。
13、优选地，在所述s200中，获得所述传送室的真空状态，包括：
14、响应对所述传送室抽真空达到所述第一设定时间的时刻，获得所述传送室的真空值，记为第二真空值；
15、获得在关闭所有所述气阀第三设定时间后所述传送室的真空值，记为第三真空值；
16、计算出所述第二真空值和所述第三真空值的差值；以及，
17、在所述s300中，所述预设条件包括所述差值小于或等于差值阈值。
18、优选地，所述前道检测设备还包括经门阀连接所述传送室的前端模块，所述门阀配置成连通或隔断在所述主腔室和所述传送室之间；以及，
19、在所述s300之后，还包括：
20、如所述传送室的真空状态不满足预设条件，则重复所述s100、s200和s300，并在所述重复的次数达到预设次数后，允许打开所述门阀，并将所述晶圆从所述传送室回退至所述前端模块。
21、优选地，所述气阀有两个，两个所述气阀分别是粗抽阀和闸阀，所述粗抽阀和所述闸阀并联设置在所述抽气泵和所述传送室之间；以及，
22、在第一次执行所述s100的情况下，所述的打开至少一个所述气阀包括打开所述粗抽阀、且关闭所述闸阀；并且/或者，
23、在所述重复的执行所述s100的情况下，所述的打开至少一个所述气阀包括关闭所述粗抽阀、且打开所述闸阀。
24、优选地，在s400中，所述的打开至少一个所述气阀包括关闭所述粗抽阀、且打开所述闸阀。
25、优选地，在第一次执行所述s100的情况下，在所述s100中还包括：
26、获得在所述第一设定时间内所述传送室的真空值，记为第四真空值；
27、在所述第四真空值小于或等于第二真空阈值后，关闭所述粗抽阀，且打开所述闸阀；其中所述第二真空阈值大于或等于传片真空阈值。
28、优选地，在所述s100之前还包括：
29、根据预设的初始配置信息和/或作业配置信息，开启所述前道检测设备的目标工作模式；其中，所述初始配置信息描述所述前道检测设备在初始状态下的配置信息，所述作业配置信息描述所述前道检测设备在作业状态下的配置信息，所述目标工作模式用于使所述晶圆在所述传送室内完成气体释放后被传送至所述主腔室。
30、优选地，所述传片真空阈值是8e-6torr，所述第一设定时间在20秒至40秒之间。
31、根据本专利技术的另一个方面，还提供了一种前道检测设备，包括：
32、用于进行晶圆检测的主腔室，所述主腔室经真空传送阀连接传送室，所述真空传送阀配置成连通或隔断在所述主腔室和所述传送室之间；所述传送室经至少一个气阀连接至少一个抽气泵，至少一个所述抽气泵配置成对所述传送室抽真空；
33、控制装置，所述控制装置连接所述设备主体，且其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述控制方法的步骤。
34、本专利技术的控制方法中，传送室的真空值在达到传片真空阈值之前，进行传送室的真空状态是否满足预设条件的判断，也就是在未完成对传送室抽真空的情况下，先行判断该抽真空进程是否符合预期，以根据该判断结果对抽真空的过程进行控制。相比现有技术在完成对传送室抽真空后进行阈值判断和控制，本专利技术的控制方法实现的是在对传送室抽真空过程进行控制。根据对传送室抽真空过程进行控制，本专利技术的控制方法能够更早的发现晶圆释放气体的情况，也能更早的决策出与晶圆适配的抽真空策略，例如在传送室的真空状态满足预设条件的情况下，本专利技术的控制方法可判断出晶圆释放气体的时间较短，所以无需现有抽真空时间中等待时间，晶圆就能完成气体的释放，从而至少能省去现有抽真空时间中等待时间，甚至还能缩短现有抽真空时间中有效本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种前道检测设备的控制方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的控制方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的控制方法，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的控制方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，
10.一种前道检测设备，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种前道检测设备的控制方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的控制方法，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：梁晨锴，
申请(专利权)人：东方晶源微电子科技北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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