【技术实现步骤摘要】
本申请涉及原子芯片实验系统领域，且特别是有关于高电流自激振荡抑制的原子芯片直流射频偏置电路。
技术介绍
1、原子芯片是一种高度集成且可控的实验平台，通过芯片上的u型和h型天线，可以实现对单个原子系综的精确操控。这些天线在传输直流或射频信号时，能够精确地调整原子系综的状态和位置。该平台不仅为基础物理研究提供了强有力的支持，还为量子计算的扩展实验创造了必要条件，有望在新型量子计算系统的研发中发挥关键作用。在该平台上开展量子计算实验的首要目标是冷却与囚禁原子系综并且实现玻色-爱因斯坦凝聚态，其中原子系综的蒸发冷却过程则依赖于原子芯片的结构来实现。蒸发冷却阶段，原子芯片结构使直流信号与射频信号同时作用，其中直流信号用于产生磁阱以囚禁原子系综，而射频信号逐步降低势阱深度，通过共振使高温原子从势阱中逃逸。在此过程中对直流电流和射频信号的精确控制至关重要，彼此之间必须相互隔离、互不干扰。实验过程中所需直流电流最高达70a，同时射频信号的带宽需覆盖500khz-25mhz。
2、为实现上述目的，现有电路通常用电容和电感并联的结构制成隔离器，...
【技术保护点】
1.一种高电流自激振荡抑制的原子芯片直流射频偏置电路，其特征在于，包括，
2.如权利要求1所述的高电流自激振荡抑制的原子芯片直流射频偏置电路，其特征在于，所述第一射频支路包括：
3.如权利要求2所述的高电流自激振荡抑制的原子芯片直流射频偏置电路，其特征在于，所述第二射频支路包括：
4.如权利要求3所述的高电流自激振荡抑制的原子芯片直流射频偏置电路，其特征在于，所述第一直流支路包括：
5.如权利要求4所述的高电流自激振荡抑制的原子芯片直流射频偏置电路，其特征在于，所述第二直流支路包括：
6.如权利要求1所述的高...
【技术特征摘要】
1.一种高电流自激振荡抑制的原子芯片直流射频偏置电路，其特征在于，包括，
2.如权利要求1所述的高电流自激振荡抑制的原子芯片直流射频偏置电路，其特征在于，所述第一射频支路包括：
3.如权利要求2所述的高电流自激振荡抑制的原子芯片直流射频偏置电路，其特征在于，所述第二射频支路包括：
4.如权利要求3所述的高电流自激振荡抑制的原子芯片直流射频偏置电路，其特征在于，所述第一直流支路包括：
5.如权利要求4所述的高电流自激振荡抑制的原子芯片直流射频偏置电路，其特征在于，所述第二直流支路包括：
6.如权利要求1所述的高电流自激振荡抑制的原子芯片直流射频偏置电路，其特征在于，所述u型阱与所述h型阱包括天线，连接所述u型阱的第三端子与第四端子的天...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛玉平，林志远，芭俺图，张默含，
申请(专利权)人：湖州师范学院，
类型：发明
国别省市：
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