【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,尤其涉及一种靶材循环系统的使用方法以及靶材循环系统。
技术介绍
1、近年来,随着光刻技术朝着更精细的制造方向迅速发展,半导体生产工艺已经能够生产出具有越来越精细的特征尺寸的半导体器件。在下一代半导体生产工艺中,将需要特征尺寸为70nm至45nm的微细加工,进而需要特征尺寸为32nm或更小的微细加工。例如,为了满足特征尺寸为32nm或更小的微细加工的需求,期望开发一种曝光设备,其中将产生约13.5nm波长的极紫外(euv)光的系统与减少投影反射光学系统。
2、产生euv光的方法包括但不一定限于将具有元素(例如氙、锂或锡)的材料转化为等离子态,并发射euv范围内的谱线。通常使用激光产生等离子体(“lpp”)方法,将高能脉冲激光轰击几十微米大小的锡金属(以液滴、板、带、流或材料簇的形式),形成所需的等离子体可以辐射出euv。对于此过程,等离子体通常在密封容器(例如真空室)中产生,并使用各种类型的计量设备进行监控。
3、在此过程中,靶材是可以循环利用的,由于靶材在液态时,通常温度较高(几百摄氏度),
...【技术保护点】
1.靶材循环系统的使用方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的靶材循环系统的使用方法,其特征在于,所述S10中,向所述靶材循环系统通入空气或氧气。
3.根据权利要求1所述的靶材循环系统的使用方法,其特征在于,所述S10中,对所述靶材循环系统中的管路、容器以及阀门进行加热。
4.根据权利要求3所述的靶材循环系统的使用方法,其特征在于,加热温度在200℃~500℃之间。
5.根据权利要求1-4任一项所述的靶材循环系统的使用方法,其特征在于,所述驱动装置包括应用于所述S30的进液驱动组件(20)以及应用于所述S40的
...【技术特征摘要】
1.靶材循环系统的使用方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的靶材循环系统的使用方法,其特征在于,所述s10中,向所述靶材循环系统通入空气或氧气。
3.根据权利要求1所述的靶材循环系统的使用方法,其特征在于,所述s10中,对所述靶材循环系统中的管路、容器以及阀门进行加热。
4.根据权利要求3所述的靶材循环系统的使用方法,其特征在于,加热温度在200℃~500℃之间。
5.根据权利要求1-4任一项所述的靶材循环系统的使用方法,其特征在于,所述驱动装置包括应用于所述s30的进液驱动组件(20)以及应用于所述s40的滴液驱动组件(50),所述进液驱动组件...
【专利技术属性】
技术研发人员:王豪,
申请(专利权)人:朗道科技南京有限公司,
类型:发明
国别省市:
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