Nor Flash及其页编程方法、系统技术方案

本公开提供了一种Nor Flash及其页编程方法、系统，Nor Flash的页编程方法包括获取编程命令，所述编程命令包括编程字节数和编程起始地址；基于所述编程字节数对完整页编程使能信号进行置位操作；若所述完整页编程使能信号为假，则对所述编程起始地址对应的目标存储页进行部分页编程操作。本公开仅需选中需要执行编程操作的存储单元进行编程操作，不仅可以缩短编程时间，而且可以降低编程功耗，同时不会高频次地同时选中所有页存储单元施加编程电压脉冲拉高阈值电压，可以延长Nor Flash的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及非易失性存储器，尤其涉及一种nor flash(一种非易失性闪存技术)及其页编程(page program)方法、系统。

技术介绍

1、当今，基于物联网、人工智能和无人驾驶等技术的蓬勃发展，推动着嵌入式存储市场高速增长。nor flash存储技术是一种非易失性存储器技术，主要用于存储程序代码和数据，相较于传统的电可擦可编程只读存储器(electrically erasable programmable readonly memory,eeprom)，具有容量大、体积小、功耗低、性能稳定以及国产化率高等优势。因此，nor flash广泛应用于各类智能化领域，包括主板基本输入输出系统、数字机顶盒、家庭网关、路由器、物联网、汽车电子、可穿戴设备、安防监控和人工智能等领域的代码存储介质，其泛用性和可靠性使我们的生活更加便捷和智能化。

2、nor flash具有读取速度快，但编程速度和擦除速度较慢的特性，因此在norflash的研发过程中，需要对其编程速度进行不断优化。在传统的nor flash编程过程中，编程操作是以页(page)为单位进行的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Nor Flash的页编程方法，其特征在于，所述Nor Flash包括多个存储页，所述页编程方法包括：

2.根据权利要求1所述的页编程方法，其特征在于，所述基于所述编程字节数对完整页编程使能信号进行置位操作的步骤包括：

3.根据权利要求1所述的页编程方法，其特征在于，所述若所述完整页编程使能信号为假，则对所述编程起始地址对应的目标存储页进行部分页编程操作的步骤之前包括：

4.根据权利要求1所述的页编程方法，其特征在于，所述对所述编程起始地址对应的目标存储页进行部分页编程操作的步骤包括：

5.根据权利要求4所述的页编程方法，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种nor flash的页编程方法，其特征在于，所述nor flash包括多个存储页，所述页编程方法包括：

2.根据权利要求1所述的页编程方法，其特征在于，所述基于所述编程字节数对完整页编程使能信号进行置位操作的步骤包括：

3.根据权利要求1所述的页编程方法，其特征在于，所述若所述完整页编程使能信号为假，则对所述编程起始地址对应的目标存储页进行部分页编程操作的步骤之前包括：

4.根据权利要求1所述的页编程方法，其特征在于，所述对所述编程起始地址对应的目标存储页进行部分页编程操作的步骤包括：

5.根据权利要求4所述的页编程方法，其特征在于，所述基于所述编程起始地址、所述待编程结束地址和所述待编程数据，对所述目标存储页进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭伟峰，李陈刚，焦志刚，丛维，
申请(专利权)人：上海优村科技有限公司，
类型：发明
国别省市：