非易失性存储器及其块擦除方法技术

本发明专利技术公开了非易失性存储器及其块擦除方法。非易失性存储器包括：存储块、字线驱动器和逻辑控制器；每个存储块包括多个扇区，每个扇区对应多个字线驱动器；逻辑控制器与所述字线驱动器连接；所述逻辑控制器用于触发与目标扇区对应的字线驱动器对所述目标扇区执行擦除操作和擦除验证操作，并通过所述字线驱动器存储所述擦除验证操作的验证结果；其中，所述目标扇区为选中擦除且所述验证结果为验证未通过的扇区；所述存储块包含的其他扇区处于非擦除状态。本发明专利技术一方面可以避免对其他扇区执行多余擦除操作而导致减少其他扇区的使用寿命，避免其他扇区被过度擦除导致存储块内非均匀的电压分布现象；另一方面，可以缩短存储块的整体擦除时长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器，尤其涉及一种非易失性存储器及其块擦除方法。

技术介绍

1、non-volatile(非易失性)存储器常涉及erase(擦除)操作，目前存储器的擦除操作一般通过fowler-nordheim tunneling(福勒-诺德海姆隧道)效应实现：通过在存储器的存储单元的gate(栅极)施加负高压，例如-10v(伏特)，并在bulk(体)或p-well(p-肼)上施加正高压，例如+8v，以从存储单元中移除存储的电荷或电子，将其重置为unprogrammed s(未编程)状态或擦除状态。目前对存储器的块擦除(包括half block和block erase)操作有两种方式：并行擦除和串行擦除，所谓并行擦除是指块包括的所有sector(扇区)同时执行擦除操作，串行擦除是指块包括的所有sector一个接一个逐一执行擦除操作。由于诸如工艺变动、磨损和损耗以及被program/erase(编程/擦除)的次数多少等各种因素，一些存储单元可能会保留一定水平的电荷，第一种并行擦除的方式会导致存储器的存储块内非均匀的vt电压分布，这种不均匀性对存储器的耐久性和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：多个存储块，每个存储块包括多个扇区；

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，对于每次擦除操作，所述逻辑控制器同时触发与各个目标扇区连接的字线驱动器对所述目标扇区执行擦除操作；

3.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器，其特征在于，所述字线驱动器包括标志寄存器电路和电压施加电路；

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器，其特征在于，所述标志寄存器电路包括标志寄存器和非门；

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器，其特征在于，所述标志寄存器包括静态随机存取存储器或锁存器或掉电不丢失的寄存...

【技术特征摘要】

1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：多个存储块，每个存储块包括多个扇区；

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，对于每次擦除操作，所述逻辑控制器同时触发与各个目标扇区连接的字线驱动器对所述目标扇区执行擦除操作；

3.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器，其特征在于，所述字线驱动器包括标志寄存器电路和电压施加电路；

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器，其特征在于，所述标志寄存器电路包括标志寄存器和非门；

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器，其特征在于，所述标志寄存器包括静态随机存取存储器或锁存器或掉电不丢失的寄存器。

6.一种非易失性存储器的块擦除方法，其特征在于，所述非易失性存储器包含多个存储块，每个存储块...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭伟峰，朱庆军，
申请(专利权)人：上海优村科技有限公司，
类型：发明
国别省市：