【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体器件，具体涉及一种多电容栅极结构及其制造方法，并说明了其通讯等领域中的应用。
技术介绍
1、带有栅极结构的半导体器件，如金属氧化物场效应晶体管，广泛应用于通讯领域，如5g射频通信、6g射频通讯及量子通讯等场景。这些通讯场景对数据传输速度、效率、稳定性及保真度等具有较高要求。然而，工艺过程导致的栅极寄生参数会增加信号传输延迟，导致数据传输速率受限，像高速5g乃至未来更高速率通讯场景下，降低信号传输速度；其次，可能引发波形畸变等失真情况，使得接收端难以准确还原原始信号，影响通讯质量；再次，易引发电路自激振荡等不稳定现象，干扰正常通讯信号的处理与传输，增加误码率，不利于可靠通讯；最后，额外的寄生参数会带来不必要的功率损耗，对于对功耗有严格要求的通讯设备（如移动终端等），会缩短续航时间等。
2、以si基n型沟道金属氧化物场效应晶体管（n-mosfet）为例，由于采用离子注入及高温退火形成源区与漏区，离子扩散过程及工艺波动导致由栅极与源漏构成寄生电容，不确定的寄生电容值导致器件在高频条件下线性度降低。采用复杂工艺整合及...
【技术保护点】
1.一种多电容栅极结构，其特征在于，依次包括第一栅极介质层、第一金属层、第二栅极介质层、第二金属层；第二金属层连接电源或电路输出端。
2.根据权利要求1所述的多电容栅极结构，其特征在于，第一金属层、第二栅极介质层、第二金属层构成电容。
3.如权利要求1所述的多电容栅极结构的制备方法，其特征在于，通过沉积依次形成所述第一栅极介质层、第一金属层、第二栅极介质层、第二金属层。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，沉积方法为化学气相沉积、原子层沉积或分子束外延。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，第二栅极介...
【技术特征摘要】
1.一种多电容栅极结构，其特征在于，依次包括第一栅极介质层、第一金属层、第二栅极介质层、第二金属层；第二金属层连接电源或电路输出端。
2.根据权利要求1所述的多电容栅极结构，其特征在于，第一金属层、第二栅极介质层、第二金属层构成电容。
3.如权利要求1所述的多电容栅极结构的制备方法，其特征在于，通过沉积依次形成所述第一栅极介质层、第一金属层、第二栅极介质层、第二金属层。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，沉积方法为化学气相沉积、原子层沉积或分子束外延。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，第二栅极介质层可为氧化...
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