一种基于长方体网格的超奇异体积分求解方法技术

本发明专利技术公开了一种基于长方体网格的超奇异体积分求解方法，包括步骤：建立金属‑非磁性介质混合结构的体‑面积分方程(VSIE)；推导待处理的超奇异体积分；求解超奇异积分计算。本发明专利技术首次给出了一种基于长方体网格的超奇异体积分求解方法，这种方法极大地提高了使用MoM‑Nystrom混合方法求解VSIE的计算精度。在电磁场仿真与分析领域，本发明专利技术为求解VSIEs中的体积分方程提供了一种高效且精确的数值方法。相比现有算法，在本发明专利技术提出的求解方法的基础上使用MoM‑Nystrom混合方法求解VSIE在计算效率、精度等方面都取得了显著提升，为复杂三维芯片结构的电磁特性分析提供了可靠的理论工具和实用解决方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于三维芯片结构分析领域，具体涉及一种基于长方体网格的超奇异体积分求解方法。

技术介绍

1、封装和测试是三维集成电路芯片设计与制造的重要环节。随着三维集成电路设计日益复杂，其中的金属-介质混合结构往往具有多尺度特征，这对电磁分析算法提出了更高要求。准确提取这类结构中的寄生参数等关键数据，需要采用更加先进的电磁算法进行精确分析。

2、在现有技术中，矩量法(method of moments,mom)是一种广泛使用的电磁分析方法。然而，传统矩量法依赖于共形网格对目标表面进行剖分和拟合。在处理具有多尺度特征的模型时，这种对共形网格的依赖会导致过渡区出现过密或者畸形网格，增加了网格生成的计算时间和存储开销。

3、相比之下，nystrom方法具有对网格要求更低的优势。在使用体-面积分方程(volume-surface integral equations,vsies)建模并采用nystrom方法或者mom-nystrom混合方法求解时，可以使用非共形网格对目标区域进行剖分。中国专利cn119089858a公开了一种三维芯片结构分析的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于长方体网格的超奇异体积分求解方法，其特征在于，包括步骤：

2.如权利要求1所述的一种基于长方体网格的超奇异体积分求解方法，其特征在于，所述步骤1包括；

3.如权利要求2所述的一种基于长方体网格的超奇异体积分求解方法，其特征在于，所述步骤2包括；

4.如权利要求3所述的一种基于长方体网格的超奇异体积分求解方法，其特征在于，所述步骤3包括；

5.如权利要求4所述的一种基于长方体网格的超奇异体积分求解方法，其特征在于，所述步骤3包括；

【技术特征摘要】

1.一种基于长方体网格的超奇异体积分求解方法，其特征在于，包括步骤：

2.如权利要求1所述的一种基于长方体网格的超奇异体积分求解方法，其特征在于，所述步骤1包括；

3.如权利要求2所述的一种基于长方体网格的超奇异体积分求解...

【专利技术属性】
技术研发人员：童美松，鲁浩正，李潇雨，王振，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：