半导体器件和半导体器件的制备方法技术

一种半导体器件和半导体器件的制备方法，该半导体器件包括衬底，衬底上具有存储器件区和保护器件区，保护器件区环绕存储器件区，保护器件区中包含第一掺杂类型的掺杂离子；存储器件，多个存储器件在存储器件区内，沿垂直于衬底的方向上堆叠设置；保护接触，保护接触与保护器件区连接，保护接触包含第二掺杂类型的掺杂离子，保护接触环绕所述存储器件；其中，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反。保护接触和保护器件区共同作用可以使等离子体诱导产生的电荷释放掉，解决天线效应对芯片制程中的影响，同时保护器件区环绕存储器件区，不会占用存储器件面积，可以提高存储密度，还可以对存储器件起到一定的保护作用。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路，特别是涉及一种半导体器件和半导体器件的制备方法。

技术介绍

1、由于电子技术的发展，半导体器件的小型化发展迅速，三维存储器因占有面积少，存储密度高，单位存储单元生产成本低而受到广泛的关注和研究。

2、然而，随着三维存储器中存储单元层数越堆越高，在采用等离子体工艺进行沉积或刻蚀时，导体会吸收导电粒子，导电粒子聚集会诱导栅极电位被抬高，可能会击穿栅氧层，发生天线效应，从而使半导体器件的电性能劣化。

技术实现思路

1、基于此，本申请实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，能够将三维存储器中的等离子体诱导产生的电荷释放掉，使栅氧层不被击穿，解决天线效应对芯片制程中的影响。

2、第一方面，本申请根据一些实施例，提供一种半导体器件，包括：

3、衬底，所述衬底上具有存储器件区和保护器件区，所述保护器件区环绕所述存储器件区，所述保护器件区中包含第一掺杂类型的掺杂离子；

4、存储器件，多个所述存储器件在所述存储器件区上，沿垂直于所述衬底的方向上堆叠设本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括，

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括，

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体器件，还包括，

7.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法， 在所在所述保护器件区形成第...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括，

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括，

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓杰，孙靖莹，
申请(专利权)人：长鑫芯瑞存储技术北京有限公司，
类型：发明
国别省市：