【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路,尤其涉及一种低压差线性稳压电路、低压差线性稳压器以及电子设备。
技术介绍
1、目前在ldo(low-dropout regulator,低压差线性稳压器)电路中,psr(powersupplyrejectionratio,一般指抑制输入电压涟波的能力,也称电源抑制比)会随着频率的增加而下降,导致电路在高频时psr会下降的很低。这是因为psr受ldo电路中误差放大器增益的影响,误差放大器增益越高,psr越大。当频率高于误差放大器的主极点频率后,其增益会随着频率的增加而下降,使得ldo电路的psr跟随误差放大器增益的下降而下降。
2、目前电路结构中,为了解决上述问题,传统的方式是采用提升psr技术,但这类提升psr技术的电路结构较为复杂,所用元器件较多,导致消耗更多的静态电流。
技术实现思路
1、鉴于上述问题,提出了本专利技术以提供解决上述问题或者部分地解决上述问题的一种低压差线性稳压电路、低压差线性稳压器以及电子设备。
2、本专利技术实施例第一
...【技术保护点】
1.一种低压差线性稳压电路,其特征在于,所述低压差线性稳压电路包括:低压差稳压单元、抑制电压涟波单元、瞬态响应单元以及共用偏置单元;
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述抑制电压涟波单元包括:电流镜结构;
3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述电流镜结构包括:第六晶体管、第七晶体管以及第九晶体管;
4.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述瞬态响应单元包括:限流结构和大电流结构;所述限流结构包括:提供电流支路和受控支路,所述受控支路复制所述提供电流支路的电流;
< ...【技术特征摘要】
1.一种低压差线性稳压电路,其特征在于,所述低压差线性稳压电路包括:低压差稳压单元、抑制电压涟波单元、瞬态响应单元以及共用偏置单元;
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述抑制电压涟波单元包括:电流镜结构;
3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述电流镜结构包括:第六晶体管、第七晶体管以及第九晶体管;
4.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述瞬态响应单元包括:限流结构和大电流结构;所述限流结构包括:提供电流支路和受控支路,所述受控支路复制所述提供电流支路的电流;
5.根据权利要求4所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述提供电流支路包括:第十二晶体管、第四电流源;所述受控支路包括:第八晶体管和第十三晶体管;
6.根据权利要求5所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述大电流结构包括:第十四晶体管;
7.根据权利要求6所述的低压差线性稳压,其特征在于,所述共用偏置单元包括:第十晶体管、第十一晶体管;
8.根据权利要求6所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述低压差稳...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘国庆,
申请(专利权)人:珠海格力电器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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