氧化铟锡膜及其制备方法和应用技术

本申请涉及氧化铟锡膜技术领域，具体涉及一种氧化铟锡膜及其制备方法和应用，所述氧化铟锡膜的X射线衍射图像中包括(222)晶面、(400)晶面、(441)晶面和(622)晶面。本申请所述ITO膜的力学性能如硬度和弹性模量比较优异；所述ITO膜的表面粗糙度相对较低，其表面平整度高；膜层质量佳，对基底的附着力较高，在应用时不易从基底脱落；所述ITO膜具有良好的导电性、高可见光透过率和低近红外区透过率，综合性能优异。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及氧化铟锡膜领域，具体涉及一种氧化铟锡膜及其制备方法和应用。

技术介绍

1、氧化铟锡(ito)薄膜是一种半导体透明氧化物薄膜材料，目前，ito薄膜材料在风挡表面、手机平板、太阳能电池等领域应用广泛。随着科技的发展，对ito薄膜的功能要求越来越高。

2、因此，开发一种具有高可见光透过率、良好导电性和低近红外区透过率的ito薄膜，而且ito薄膜应用时不易从基底脱落，是至关重要的。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请提供一种氧化铟锡膜及其制备方法和应用，所述ito膜的力学性能如硬度和弹性模量比较优异；所述ito膜的表面粗糙度较高以及表面平整度较高，膜层质量佳，对基底的附着力较高，在应用时不易从基底脱落；所述ito膜具有良好的导电性、高可见光透过率和低近红外区透过率，综合性能优异。

2、第一方面，本申请提供了一种氧化铟锡膜，所述氧化铟锡膜的x射线衍射(xrd)图像中包括(222)晶面、(400)晶面、(441)晶面和(622)晶面。

3、本申请实施方式的技术方案中，氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧化铟锡膜，其特征在于，所述氧化铟锡膜的X射线衍射图像中包括(222)晶面、(400)晶面、(441)晶面和(622)晶面。

2.根据权利要求1所述的氧化铟锡膜，其特征在于，所述(222)晶面、(400)晶面、(441)晶面和(622)晶面对应的衍射峰的强度比为(0.1-0.8)：1：(0.05-0.8)：(0.05-0.5)；进一步优选(0.4-0.6)：1：(0.3-0.6)：(0.3-0.4)。

3.根据权利要求1或2所述的氧化铟锡膜，其特征在于，所述氧化铟锡膜的表面粗糙度≤2.5nm，进一步优选为≤2.1nm；更进一步优选为≤0.6-2.1nm。<...

【技术特征摘要】

1.一种氧化铟锡膜，其特征在于，所述氧化铟锡膜的x射线衍射图像中包括(222)晶面、(400)晶面、(441)晶面和(622)晶面。

2.根据权利要求1所述的氧化铟锡膜，其特征在于，所述(222)晶面、(400)晶面、(441)晶面和(622)晶面对应的衍射峰的强度比为(0.1-0.8)：1：(0.05-0.8)：(0.05-0.5)；进一步优选(0.4-0.6)：1：(0.3-0.6)：(0.3-0.4)。

3.根据权利要求1或2所述的氧化铟锡膜，其特征在于，所述氧化铟锡膜的表面粗糙度≤2.5nm，进一步优选为≤2.1nm；更进一步优选为≤0.6-2.1nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的氧化铟锡膜，其特征在于，所述氧化铟锡膜的可见光的平均透过率≥...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁靖伟，纪建超，雷沛，李久勇，
申请(专利权)人：北京航空材料研究院股份有限公司，
类型：发明
国别省市：