【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于多晶硅，尤其涉及一种三氯氢硅的合成方法、多晶硅的生产方法及生产装置。
技术介绍
1、在多晶硅生产中，改良西门子法由于工艺成熟而被广泛采用。此法以三氯氢硅和氢气为原料，通过高温还原得到多晶硅产品；但在此工艺中，会副产大量四氯化硅、二氯二氢硅以及其他副产品，这会影响产品收率、增加生产成本。
2、现有技术多是通过二氯二氢硅与四氯化硅发生反歧化反应，使二氯二氢硅转化为三氯氢硅，不仅能够利用二氯二氢硅，还能消耗生产系统中的一部分四氯化硅，既降低了生产成本，又提高了硅的元素利用率。
3、但现有技术中，需要对进行反歧化反应的原料二氯二氢硅进行加热，使其满足反歧化反应的温度，增加了能源消耗。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种三氯氢硅的合成方法，该合成方法可避免提供额外的热量，降低了能源的消耗。
2、本专利技术还提供一种多晶硅的生产方法，该生产方法可得到用于进行反歧化反应的四氯化硅和二氯二氢硅，可实现资源的循环利用，减少了原料的消耗和浪费。
3、本本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种三氯氢硅的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的三氯氢硅的合成方法，其特征在于，所述四氯化硅的温度和所述二氯二氢硅的温度的差值20℃-34℃。
3.根据权利要求1或2所述的三氯氢硅的合成方法，其特征在于，所述二氯二氢硅的温度为26℃-30℃。
4.根据权利要求1-3任一项所述的三氯氢硅的合成方法，其特征在于，所述四氯化硅通过对多晶硅生产中还原尾气进行分离处理得到。
5.根据权利要求1-4任一项所述的三氯氢硅的合成方法，其特征在于，所述反歧化反应的温度为55℃-75℃；
6.根据...
【技术特征摘要】
1.一种三氯氢硅的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的三氯氢硅的合成方法，其特征在于，所述四氯化硅的温度和所述二氯二氢硅的温度的差值20℃-34℃。
3.根据权利要求1或2所述的三氯氢硅的合成方法，其特征在于，所述二氯二氢硅的温度为26℃-30℃。
4.根据权利要求1-3任一项所述的三氯氢硅的合成方法，其特征在于，所述四氯化硅通过对多晶硅生产中还原尾气进行分离处理得到。
5.根据权利要求1-4任一项所述的三氯氢硅的合成方法，其特征在于，所述反歧化反应的温度为55℃-75℃；
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈文佩，
申请(专利权)人：青海丽豪清能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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