【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数模混合集成电路设计领域，尤其涉及一种用于delta-sigma调制器的flash型量化器及其控制方法。
技术介绍
1、delta-sigma型模数转换器结构在高精度应用中十分广泛，在delta-sigma型模数转换器电路设计中量化器是关键的一环，量化器的速度和精度决定了模数转换器的有效带宽及有效转换位数，flash量化器是一种基于比较器的高速量化电路，其关键在于比较器的设计。然而现有的量化器通产采用工艺修调或者校准电路的方式改善dac失配，这种方式存在电路复杂、功耗高的问题。
技术实现思路
1、鉴于以上现有技术存在的问题，本专利技术提出一种用于delta-sigma调制器的flash型量化器及其控制方法，主要解决现有的量化器dac失配改善方式依赖于复杂电路结构，功耗高，且影响电路整体性能的问题。
2、为了实现上述目的及其他目的，本专利技术采用的技术方案如下。
3、本申请提供一种用于delta-sigma调制器的flash型量化器，包括：参考电压置乱模...
【技术保护点】
1.一种用于Delta-Sigma调制器的Flash型量化器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于Delta-Sigma调制器的Flash型量化器，其特征在于，所述参考电压置乱模块包括：
3.根据权利要求2所述的用于Delta-Sigma调制器的Flash型量化器，其特征在于，所述延迟消除单元包括：延时器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述延时器的输入端与所述第二NMOS管的栅极连接作为所述延迟消除单元的输入端，并接所述输入控制信号；所述延时器的输出端接所述第一NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的...
【技术特征摘要】
1.一种用于delta-sigma调制器的flash型量化器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于delta-sigma调制器的flash型量化器，其特征在于，所述参考电压置乱模块包括：
3.根据权利要求2所述的用于delta-sigma调制器的flash型量化器，其特征在于，所述延迟消除单元包括：延时器、第一nmos管、第二nmos管、第一pmos管和第二pmos管，所述延时器的输入端与所述第二nmos管的栅极连接作为所述延迟消除单元的输入端，并接所述输入控制信号；所述延时器的输出端接所述第一nmos管的栅极，所述第一nmos管的源极和所述第二nmos管的源极接地；所述第一nmos管的漏极接所述第一pmos管的源极作为所述延迟消除单元的第一输出端；所述第二nmos管的漏极与所述第一pmos管的源极连接作为所述延迟消除单元的第二输出端；所述第一pmos管的栅极接所述第二pmos管的源极，所述第二pmos管的栅极接所述第一pmos管的源极，以形成所述交叉耦合结构；所述第一pmos管的漏极和所述第二pmos管的漏极分别接电源电压；其中所述第二输出端的输出控制信号为所述第一输出端的输出控制信号的反相信号。
4.根据权利要求3所述的用于delta-sigma调制器的flash型量化器，其特征在于，所述开关阵列包括多个开关单元，其中所述开关单元的数量为所述延迟消除单元的二次方个；每个所述开关单元包括第三nmos管、第四nmos管、第三pmos管和第四pmos管，所述第三nmos管的源极与所述第三pmos管的源极连接作为所述开关单元的第一输入端，所述第三nmos管的漏极与所述第三pmos管的漏极连接作为所述开关单元的第一输出端；所述第四nmos管的源极与所述第四pmos管的源极连接所为所述开关单元的第二输入端，所述第四nmos管的漏极与所述第四pmos管的漏极连接作为所述开关单元的第二输出端；所述第三nmos管的栅极作为所述开关单元的第一控制端与所述延迟消除单元的第一输出端连接；所述第四nmos管的栅极作为所述开关单元的第二控制端与所述延迟消除单元的第一输出端连接；所述第三pmos管的栅极与所述第四pmos管的栅极连接作为所述开关单元的第五控制端接所述延迟消除单元的第二输出端。
5.根据权利要求1所述的用于delta-si...
【专利技术属性】
技术研发人员：张启龙，罗永双，万贤杰，王友华，朱璨，付东兵，俞宙，王健安，
申请(专利权)人：重庆吉芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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