功率半导体器件单元、功率半导体模块、电子设备和车辆制造技术

技术编号:45036175 阅读:33 留言:0更新日期:2025-04-18 17:18
本发明专利技术公开了一种功率半导体器件单元、功率半导体模块、电子设备和车辆,其中,功率半导体器件单元包括:半导体器件,所述半导体器件的上表面形成有功率端子;母排结构,所述母排结构位于所述半导体器件上,所述母排结构沿第一方向和第二方向延伸,所述母排结构对应所述功率端子具有连接端子,所述连接端子与所述功率端子连接,其中,所述第一方向和所述第二方向均垂直于功率半导体器件单元的厚度方向,所述第一方向和所述第二方向相交。本发明专利技术的功率半导体器件单元可以减小功率端子占用的平面尺寸,提高了器件单元的紧凑性和布局的自由度,从而提高了单元的集成度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,尤其是涉及一种功率半导体器件单元、功率半导体模块、电子设备和车辆


技术介绍

1、相关技术中,传统功率半导体器件的功率端子通常位于器件的侧面,这导致了器件在水平方向上需要额外的空间来容纳这些功率端子。这意味着功率端子会额外占用平面尺寸,限制了器件的紧凑性和布局的自由度。这种设计限制了功率半导体器件单元的集成度,尤其是在需要高功率密度的应用中,如电动汽车和工业电源等。


技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本专利技术的一个目的在于提出一种功率半导体器件单元,该功率半导体器件单元可以减小功率端子占用的平面尺寸,提高了器件单元的紧凑性和布局的自由度,从而提高了单元的集成度。

2、本专利技术第二个目的在于提出一种功率半导体模块。

3、本专利技术第三个目的在于提出一种电子设备。

4、本专利技术第四个目的在于提出一种车辆。

5、为了达到上述目的,本专利技术第一方面实施例的功率半导体器件单元,包括:半导体器件,所述半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率半导体器件单元,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件单元,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的功率半导体器件单元,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的功率半导体器件单元,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的功率半导体器件单元,其特征在于,所述直流正极母排沿所述第二方向从远离所述第二半导体器件的第一侧引出直流正极端子,以连接直流母线电容的第一端。

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件单元,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的功率半导体器件单元,其特征在于,所述直流负极母排沿所...

【技术特征摘要】

1.一种功率半导体器件单元,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件单元,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的功率半导体器件单元,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的功率半导体器件单元,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的功率半导体器件单元,其特征在于,所述直流正极母排沿所述第二方向从远离所述第二半导体器件的第一侧引出直流正极端子,以连接直流母线电容的第一端。

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件单元,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的功率半导体器件单元,其特征在于,所述直流负极母排沿所述第二方向从远离所述第二半导体器件的第一侧引出直流负极端子,以连接所述直流母线电容的第二端。

8.根据权利要求7所述的功率半导体器件单元,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的功率半导体器件单元,其特征在于,所述母排结构还包括:

10.根据权利要求9所述的功率半导体器件单元,其特征在于,所述母排结构还包括:

11.根据权利要求10所述的功率半导体器件单元,其特征在于,

12.根据权利要求11所述的功率半导体器件单元,其特征在于,

13.根据权利要求11所述的功率半导体器件单元,其特征在于,所述母排结构还包括:

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【专利技术属性】
技术研发人员:谢月吴彦刘宗尧
申请(专利权)人:济南比亚迪半导体技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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