横向激励体声波谐振器及其制备方法技术

本申请公开了一种横向激励体声波谐振器及其制备方法，横向激励体声波谐振器包括衬底以及依次层叠于衬底上的第一布拉格反射结构、压电层、叉指电极和第二布拉格反射结构，所述第一布拉格反射结构包括交替堆叠的第一高声阻抗层和第一低声阻抗层；所述第二布拉格反射结构包括交替堆叠的第二高声阻抗层和第二低声阻抗层。本申请通过在叉指电极上面形成第二布拉格反射结构，能够防止污染物侵入叉指电极，避免湿度和气体对谐振器的影响，有效兼顾器件的气阻，提高性能稳定性，避免谐振器性能恶化，后续无需在谐振器周围设置真空腔或密封腔，能够降低成本，减少封装过程出现的风险，提高产品生产良率和谐振器的稳固性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及滤波器，具体地，涉及横向激励体声波谐振器及其制备方法。

技术介绍

1、在现代通信技术快速发展的背景下，声学谐振器技术对于满足移动通信设备多频率、集成化需求至关重要。

2、横向激励薄膜体声波谐振器（laterally excited bulk acoustic waveresonator，xbar）作为新兴的压电微机械声学谐振器，由叉指电极(interdigitalelectrode，ide)和压电层构成。其利用叉指电极激发兰姆波传播与反射形成驻波谐振，谐振频率取决于压电层厚度和电极周期，可在同一掩膜板内设计多种频率谐振器，并借助类似声表面波谐振器的叉指电极实现电激励，还能基于现有体声波谐振器工艺平台制备，兼具 声表面波谐振器(surface acoustic wave resonator,saw)和体声波谐振器(bulkacoustic wave resonator，baw)的优点，是当前唯一可在单片晶圆上实现多频率、高品质因数和小尺寸的声学谐振器技术。

3、然而，xbar存在诸多问题。在工艺制造方面，为使压电层自由振本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种横向激励体声波谐振器，其特征在于，包括衬底以及依次层叠于衬底上的第一布拉格反射结构、压电层、叉指电极和第二布拉格反射结构，

2.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，第一布拉格反射结构和/或第二布拉格反射结构每一层的厚度为该层谐振时剪切波波长的1/4~3/4。

3.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，所述第一低声阻抗层的材料为二氧化硅、氮化硅、氧化镁、纳米多孔混合物、气凝胶、干凝胶或者聚合物材料中的至少一种，第二低声阻抗层的材料为具有正温度系数的二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种横向激励体声波谐振器，其特征在于，包括衬底以及依次层叠于衬底上的第一布拉格反射结构、压电层、叉指电极和第二布拉格反射结构，

2.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，第一布拉格反射结构和/或第二布拉格反射结构每一层的厚度为该层谐振时剪切波波长的1/4~3/4。

3.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，所述第一低声阻抗层的材料为二氧化硅、氮化硅、氧化镁、纳米多孔混合物、气凝胶、干凝胶或者聚合物材料中的至少一种，第二低声阻抗层的材料为具有正温度系数的二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，所述第一高声阻抗层和第二高声阻抗层的材料相同或者不同，第一高声阻抗层和第二高声阻抗层的材料为氮化铝、氧化坦、氮化钨、钼、钨中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，宋易晨，崔魏巍，
申请(专利权)人：云际芯光珠海微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：