【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶圆片减薄，特别涉及一种晶圆片减薄装置。
技术介绍
1、晶圆片是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
2、在晶圆片的制造工序中需要借助减薄装置去除多余材料达到所需厚度，减薄过程通常包括研磨、抛光、质量控制，在进行研磨的过程中，需要借助研磨液防止工件和研具过热，避免热应力导致工件变形或出现裂痕，同时也可以起到润滑、清洗的作用，并且可以借助研磨液与工件的化学反应促进材料的去除，在研磨液使用后需要对研磨液进行回收以降低生产成本，避免资源的浪费，但是在研磨的过程中会有颗粒与研磨液混合，导致回收难度增大，鉴于此，我们提出了一种晶圆片减薄装置。
技术实现思路
1、本技术的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种晶圆片减薄装置，能够解决研磨的过程中会有颗粒与研磨液混合，导致回收难度增大，鉴于此，我们提出了一种晶圆片减薄装置的问题。
2、为本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆片减薄装置，包括工作台(1)，其特征在于：所述工作台(1)的上表面固定连接有安装架(2)，所述安装架(2)上设置有研磨装置(3)，所述安装架(2)的上表面固定连接有存储箱(4)，所述工作台(1)的上表面开设有锥形收集槽(5)，所述锥形收集槽(5)的底壁开设有转动连接有支撑台(6)，所述工作台(1)的内部开设有存储腔(7)，所述存储腔(7)的上侧延伸进支撑台(6)的内部，所述支撑台(6)的外表面开设有与存储腔(7)内部相通的通槽(8)，所述通槽(8)的内壁固定连接有滤板(9)，所述锥形收集槽(5)的底壁开设有环形槽(10)，所述环形槽(10)的内壁设置有颗粒
<...【技术特征摘要】
1.一种晶圆片减薄装置，包括工作台(1)，其特征在于：所述工作台(1)的上表面固定连接有安装架(2)，所述安装架(2)上设置有研磨装置(3)，所述安装架(2)的上表面固定连接有存储箱(4)，所述工作台(1)的上表面开设有锥形收集槽(5)，所述锥形收集槽(5)的底壁开设有转动连接有支撑台(6)，所述工作台(1)的内部开设有存储腔(7)，所述存储腔(7)的上侧延伸进支撑台(6)的内部，所述支撑台(6)的外表面开设有与存储腔(7)内部相通的通槽(8)，所述通槽(8)的内壁固定连接有滤板(9)，所述锥形收集槽(5)的底壁开设有环形槽(10)，所述环形槽(10)的内壁设置有颗粒收集组件。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆片减薄装置，其特征在于：所述颗粒收集组件包括弧形板(11)，所述弧形板(11)固定连接在环形槽(10)的内壁，所述弧形板(11)设置为半圆形，所述弧形板(11)的内部开设有滑动槽(12)，所述环形槽(10)的内壁滑动连接有位移板(13)，所述位移板(13)同样设置为半圆形，所述弧形板(11)的上表面固定连接有挡板(14)，所述支撑台(6)的外表面固定连接有清扫板(15)，所述清扫板(15)的下表面与弧形板(11)的上表面接触。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆片减薄装置，其特征在于：所述位移板(13)的上表面固定连接有l形连接杆(16)，所述l形连接杆(16)的另一端与支撑台(6)的外表面固定连接，所述存储腔(7)的底壁固...
【专利技术属性】
技术研发人员：张云海，
申请(专利权)人：深圳烯格微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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