【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，公开了一种研磨方法和相应的晶圆结构。
技术介绍
1、传统的通孔背面显露技术（bvr）在化学机械研磨工艺（cmp）过程中存在倾斜、导通柱断裂等问题。现阶段化学机械研磨工艺主要采用对导通柱均具有研磨作用的研磨液进行化学机械研磨。但是由于前道工艺能力受限，到达化学机械研磨工艺时晶圆（wafer）表面导通柱的高低存在差异，例如通常表现为边缘高、中心低的情况；而且 化学机械研磨工艺外圈线速度较大，使得晶圆边缘受力也较大。综合以上两个薄弱环节，化学机械研磨工艺容易导致导通柱出现倾斜现象。从而对于后续的工艺环节以及产品质量而言，均会带来一定的影响。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于解决现有的研磨工艺会导致导通柱倾斜从而影响后续工艺的问题，提供了一种研磨方法和相应的晶圆结构。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供一种研磨方法，包括：
3、提供晶圆，所述晶圆具有多个通孔，所述晶圆上具有多个导通柱，且每个所述导通柱填充对应的所述通孔；
4、使...
【技术保护点】
1.一种研磨方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，一次研磨时每次使用软研磨垫研磨晶圆时施加的转速和相应位置的压力都小于二次研磨时每次使用相应研磨垫研磨晶圆时施加的转速和对应位置的压力。
3.根据权利要求2所述的研磨方法，其特征在于，一次研磨时每次使用软研磨垫研磨晶圆时的研磨液流量小于二次研磨时每次使用相应研磨垫研磨晶圆时的研磨液流量，一次研磨时每次使用软研磨垫研磨晶圆时的研磨时间大于二次研磨时每次使用相应研磨垫研磨晶圆时的研磨时间。
4.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述晶圆表面还具有氧...
【技术特征摘要】
1.一种研磨方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，一次研磨时每次使用软研磨垫研磨晶圆时施加的转速和相应位置的压力都小于二次研磨时每次使用相应研磨垫研磨晶圆时施加的转速和对应位置的压力。
3.根据权利要求2所述的研磨方法，其特征在于，一次研磨时每次使用软研磨垫研磨晶圆时的研磨液流量小于二次研磨时每次使用相应研磨垫研磨晶圆时的研磨液流量，一次研磨时每次使用软研磨垫研磨晶圆时的研磨时间大于二次研磨时每次使用相应研磨垫研磨晶圆时的研磨时间。
4.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述晶圆表面还具有氧化硅层，所述氧化硅层表面还具有氮化硅层，所述导通柱和所述晶圆表面高度一致包括所述导通柱和所述晶圆上的氮化硅层表面高度相一致。
5.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，依次使用至少一个软研磨垫并施加相应的转速和压力对所述导通柱进行一次研磨包括：
6.根据权利要求5所述的研磨方法，其特征在于，一次研磨时每次通过软研磨垫进行研磨时施加的转速相同，一次研磨时每次通过软研磨垫进行研磨时对所述晶圆从内到外的多...
【专利技术属性】
技术研发人员：穆星辰，郭良奎，郦文杰，戴宇豪，张思苏，吕良伟，
申请(专利权)人：长电微电子江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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