【技术实现步骤摘要】
本技术涉及离子源设备，尤其涉及一种防止溅射污染的离子束装置。
技术介绍
1、离子源是使中性原子或分子电离形成等离子体，并从中引出离子加速的装置。在离子束辐照到材料表面时，其与材料表面原子的碰撞会有溅射或注入效果，因而离子源在半导体领域有广泛的应用，例如：刻蚀、薄膜生长、离子注入等。
2、但离子束在处理材料过程中，溅射出的部分颗粒会返回到离子源中导致离子源污染，降低了离子源的性能，如果离子源的污染物堆积过多，会造成离子源无法正常工作。因此，需要提供一种防止溅射污染的离子束装置，能够解决现有技术中离子源容易被部分溅射返回的颗粒污染的问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种防止溅射污染的离子束装置，能够解决现有技术中离子源容易被部分溅射返回的颗粒污染的问题。
2、本技术是这样实现的：
3、一种防止溅射污染的离子束装置，包括离子源、静电透镜组件和约束磁场组件；离子源与静电透镜组件同轴设置，离子源的离子束出口面向静电透镜组件的离子束进口设置；约束磁场组件...
【技术保护点】
1.一种防止溅射污染的离子束装置，其特征是：包括离子源(1)、静电透镜组件和约束磁场组件；离子源(1)与静电透镜组件同轴设置，离子源(1)的离子束出口面向静电透镜组件的离子束进口设置；约束磁场组件内形成有高强磁场，约束磁场组件的一侧形成离子汇聚入口，约束磁场组件的另一侧形成离子扩束出口，离子汇聚入口、离子束聚焦点和离子扩束出口之间形成离子偏转路径；静电透镜组件的离子束出口面向约束磁场组件的离子汇聚入口设置，约束磁场组件的离子扩束出口面向所需处理的材料设置。
2.根据权利要求1所述的防止溅射污染的离子束装置，其特征是：所述的静电透镜组件包括第一静电透镜电极(...
【技术特征摘要】
1.一种防止溅射污染的离子束装置，其特征是：包括离子源(1)、静电透镜组件和约束磁场组件；离子源(1)与静电透镜组件同轴设置，离子源(1)的离子束出口面向静电透镜组件的离子束进口设置；约束磁场组件内形成有高强磁场，约束磁场组件的一侧形成离子汇聚入口，约束磁场组件的另一侧形成离子扩束出口，离子汇聚入口、离子束聚焦点和离子扩束出口之间形成离子偏转路径；静电透镜组件的离子束出口面向约束磁场组件的离子汇聚入口设置，约束磁场组件的离子扩束出口面向所需处理的材料设置。
2.根据权利要求1所述的防止溅射污染的离子束装置，其特征是：所述的静电透镜组件包括第一静电透镜电极(2)和第二静电透镜电极(3)；第一静电透镜电极(2)外接电压源，第二静电透镜电极(3)接地，离子源(1)、第一静电透镜电极(2)、第二静电透镜电极(3)依次间隔设置；第一静电透镜电极(2)作为静电透镜组件的离子束进口，第二静电透镜电极(3)作为静电透镜组件的离子束出口。
3.根据权利要求2所述的防止溅射污染的离子束装置，其特征是：所述的第一静电透镜电极(2)和第二静电透镜电极(3)均为环形结构，离子源(1)为圆形结构，且离子源(1)、第一静电透镜电极(2)和第二静电透镜电极(3)同轴设置。
4.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟杪，米丝辰，
申请(专利权)人：上海芯戍精密装备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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