一种三维原子探针样品及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种三维原子探针样品的制备方法，包括以下步骤：S1、样品在扫描电子显微镜下成像，并在样品表面标记感兴趣的区域；S2、对所述区域进行切割，暴露出样品的截面；S3、对所述截面进行离子束辐照，以使所述截面中的晶界两侧产生利于观察的明暗衬度；S4、根据衬度所在位置，切割样品形成包含晶界的薄片样品；S5、环形切割所述薄片样品，形成包含所述晶界的针尖样品。本发明专利技术的制备方法提供了高效精准定位，有效降低了样品制备时间，以及提升了样品制备成功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微纳尺度材料样品制备，具体涉及一种三维原子探针样品及其制备方法。

技术介绍

1、目前制备三维原子探针样品的针尖尖端直径在100nm以下，对于包含合金界面的样品制备，要将所需观测的界面包含在针尖体积内。然而对于复杂相成分的合金材料来说，既包含晶界界面，又包含相界面。这些界面在扫描电子束成像中很难区分，导致在针尖制备过程中对晶界定位具有不确定性。

2、晶界的性质和特征对于合金的性能具有重要影响。因此，需要一种高效、准确的方法来定位和制备包含晶界的样品，以便进行进一步的研究和应用。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本专利技术提出了一种三维原子探针样品的制备方法，可以有效提高样品制备效率。所述制备方法包括以下步骤：

2、s1、样品在扫描电子显微镜下成像，并在样品表面标记感兴趣的区域；

3、s2、对所述区域进行切割，暴露出样品的截面；

4、s3、对所述截面进行离子束辐照，以使所述截面中的晶界两侧产生利于观察的明暗衬度；

5、s4、根据衬度所在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三维原子探针样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的三维原子探针样品的制备方法，其特征在于，步骤S3中离子束辐照的束流为100pA至200pA，辐照持续时间不低于15秒。

3.如权利要求1所述的三维原子探针样品的制备方法，其特征在于，所述样品为金属合金。

4.如权利要求3所述的三维原子探针样品的制备方法，其特征在于，还包括在切割样品时对样品进行冷却的步骤。

5.如权利要求1所述的三维原子探针样品的制备方法，其特征在于，在步骤S1中采用聚焦离子束诱导化学气相沉积在感兴趣区域沉积金属，对样品表面进行标记。...

【技术特征摘要】

1.一种三维原子探针样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的三维原子探针样品的制备方法，其特征在于，步骤s3中离子束辐照的束流为100pa至200pa，辐照持续时间不低于15秒。

3.如权利要求1所述的三维原子探针样品的制备方法，其特征在于，所述样品为金属合金。

4.如权利要求3所述的三维原子探针样品的制备方法，其特征在于，还包括在切割样品时对样品进行冷却的步骤。

5.如权利要求1所述的三维原子探针样品的制备方法，其特征在于，在步骤s1中采用聚焦离子束诱导化学气相沉积在感...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄亚敏，
申请(专利权)人：上海汽车芯片工程中心有限公司，
类型：发明
国别省市：