芯片内部寄生参数的测试方法与装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种芯片内部寄生参数的测试方法，并公开了用于实现该方法的装置，其中芯片内部寄生参数的测试方法包括获取待测引脚的高电平阈值电压；将待测引脚配置为定时器触发模式；将信号输出引脚置为高电平，使芯片内定时器的计数器开始计数，使寄生电容的电压值上升至高电平阈值电压，获取此时定时器的计数值；多次改变可调电阻的电阻值并获得多个定时器的计数值；根据上述参数获得第一等效寄生电容的电容值。从而借助芯片自身引脚实现对芯片内部寄生参数的测量，得到符合芯片实际工作场景的寄生参数，不依赖外接设备，减小测试成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片测试领域，特别涉及一种芯片内部寄生参数的测试方法与芯片。

技术介绍

1、芯片在设计制造完成后，在芯片信号通路的内部会存在寄生电阻和寄生电容，这些寄生电阻值和寄生电容值即为芯片内部寄生参数。当芯片在进行高速通讯或者快速adc采样的应用时，需要将内部寄生的电阻和寄生电容进行综合考虑，因此需要提供出比较接近芯片内部实际情况的寄生参数。现有的测量电阻和电容的仪器基本都是在器件不带电的情况下进行测试的，但是芯片内部的寄生电阻和电容在芯片供电和不供电的情况下会呈现不同数值，且只有在芯片供电时的寄生电阻和电容值才是最接近芯片内部实际情况的寄生参数，因此，现有的技术手段无法提供最接近芯片内部实际情况的寄生参数。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种芯片内部寄生参数的测试方法，能够借助芯片自身的引脚进行内部寄生参数的测试，从而可以测出符合芯片实际工作场景的寄生参数。

2、本专利技术还提出一种用于实现上述芯片内部寄生参数的测试方法的装置。...

【技术保护点】

1.一种芯片内部寄生参数的测试方法，其特征在于，应用于芯片，所述芯片包括：定时器、PWM信号输出引脚、GPIO引脚和第一等效寄生电容，所述PWM信号输出引脚通过可调电阻与所述GPIO引脚电性连接，所述GPIO引脚与所述第一等效寄生电容连接；所述芯片内部寄生参数的测试方法，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片内部寄生参数的测试方法，其特征在于，所述获取所述GPIO引脚的高电平阈值电压，包括：

3.根据权利要求1所述的芯片内部寄生参数的测试方法，其特征在于，所述根据多个所述计数值、所述PWM信号输出引脚的输出电压和所述高电平阈值电压，获得所述第一等效寄生电容的电容值，...

【技术特征摘要】

1.一种芯片内部寄生参数的测试方法，其特征在于，应用于芯片，所述芯片包括：定时器、pwm信号输出引脚、gpio引脚和第一等效寄生电容，所述pwm信号输出引脚通过可调电阻与所述gpio引脚电性连接，所述gpio引脚与所述第一等效寄生电容连接；所述芯片内部寄生参数的测试方法，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片内部寄生参数的测试方法，其特征在于，所述获取所述gpio引脚的高电平阈值电压，包括：

3.根据权利要求1所述的芯片内部寄生参数的测试方法，其特征在于，所述根据多个所述计数值、所述pwm信号输出引脚的输出电压和所述高电平阈值电压，获得所述第一等效寄生电容的电容值，包括：

4.根据权利要求1所述的芯片内部寄生参数的测试方法，其特征在于，当所述gpio引脚为具有adc功能的adc引脚时，所述芯片还包括：等效寄生电阻、第二等效寄生电容，所述pwm信号输出引脚通过可调电阻与所述adc引脚电性连接，所述adc引脚与所述第一等效寄生电容连接，所述adc引脚还与所述等效寄生电阻的一端连接，所述等效寄生电阻的另一...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦延清，唐攀，吴亚杰，吴振海，陈泱霖，马宇森，张奥源，周子超，
申请(专利权)人：珠海泰为电子有限公司，
类型：发明
国别省市：