【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及存储器领域，更具体地，涉及一种铁电存储器及对其存储单元进行读取的方法。
技术介绍
1、feram(ferroelectric ram，铁电存储器)，是一种随机存取存储器。其具有高速、高密度、低功耗、非易失、耐高温、抗辐射、工艺兼容性强等优点。因此，在ic卡、移动电话、嵌入式微处理器、航空航天以及军事应用等领域，铁电存储器备受关注。铁电存储器基于其铁电材料的高介电常数和铁电极化特性来存储数据。根据极化的不同，铁电存储器中的铁电电容器可以被设置成具有不同的电容。利用铁电极化特性的两个稳定状态来代表数字逻辑中的状态“0”和状态“1”。
2、通常，铁电存储器的存储单元可以包括铁电电容器以及控制铁电电容器连接状态的开关器件，例如，mos管。存储单元的一端接bl(bit line，位线)，一端接pl(plate line，板线)。目前，铁电存储器通过为pl充电，使得bl处的电压由于电容耦合被抬高。由于铁电电容器在不同状态下的等效电容值不同，bl被抬高的电压也不同，因此可以通过被抬高的电压的不同来读出铁电电容器存储的状态。
【技术保护点】
1.一种铁电存储器，包括：
2.根据权利要求1所述的铁电存储器，其中，通过对位线和板线施加写入电压，设置铁电存储单元的状态，从而在铁电存储单元存储第一数据或第二数据。
3.根据权利要求1所述的铁电存储器，其中，铁电存储单元包括铁电电容器和开关单元，铁电电容器包括第三端口和第四端口，开关单元包括第五端口、第六端口和第二控制端口，第三端口与第一端口连接，第四端口与第五端口连接，第六端口与第二端口连接，第二控制端口与第一控制端口连接。
4.根据权利要求3所述的铁电存储器，其中，第一状态对应于铁电电容器的第一电容，第二状态对应于铁电电容的第
...【技术特征摘要】
1.一种铁电存储器，包括：
2.根据权利要求1所述的铁电存储器，其中，通过对位线和板线施加写入电压，设置铁电存储单元的状态，从而在铁电存储单元存储第一数据或第二数据。
3.根据权利要求1所述的铁电存储器，其中，铁电存储单元包括铁电电容器和开关单元，铁电电容器包括第三端口和第四端口，开关单元包括第五端口、第六端口和第二控制端口，第三端口与第一端口连接，第四端口与第五端口连接，第六端口与第二端口连接，第二控制端口与第一控制端口连接。
4.根据权利要求3所述的铁电存储器，其中，第一状态对应于铁电电容器的第一电容，第二状态对应于铁电电容的第二电容，以及
5.根据权利要求4所述的铁电存储器，其中，读取电流包括拉电流和灌...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨叶飞，赵训彤，王澍，
申请(专利权)人：上海博维逻辑半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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