【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于碱抛添加剂制备，具体涉及一种原硅片碱抛添加剂的制备方法和使用方法。
技术介绍
1、原硅片的双面碱抛添加剂是一种在太阳能电池片生产过程中帮助原硅片双面进行抛光的化学助剂。原硅片加工过程中，表面会被不断污染，且留下机械损伤层，对原硅片的碱抛可以有效去除表面脏污和机械损伤层，从而帮助后续制绒工艺制得均匀的绒面。
2、目前针对原硅片的碱抛过程中常存在以下问题：第一，碱抛不彻底，使得硅片表面平整度差，塔基高低差大；第二，抛光后塔基线痕很重；第三，抛光后硅片表面仍残留脏污无法去除；第四，抛光过程中存在硅片浮片的现象。以上问题都会影响后续制绒步骤，为改善上述问题，可通过在碱抛过程中添加碱抛添加剂来实现，但常规添加剂存在稳定性差，抛光后平整度欠佳等问题，抛光效果有待进一步改善。
3、由此可见，开发一种能弱化线痕、提高抛光面平整度、抛光效果好、效率高、稳定性好的原硅片碱抛添加剂的制备方法和使用方法符合市场需要，极具市场价值和应用前景，对促进原硅片碱抛领域的发展具有重要意义。
技术实现思路<
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【技术保护点】
1.一种原硅片碱抛添加剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种原硅片碱抛添加剂的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，消泡剂、活性物质、表面光亮剂、pH调节剂、防腐剂、染色剂、防污杀菌剂和去离子水的用量比为(0.5-4)g：(0.5-4)g：(0.5-2)g：(0.1-0.3)g：(0.05-0.1)g：(0.04-0.05)g：(0.12-2)g：(90.2-94.6)mL。
3.根据权利要求1所述的一种原硅片碱抛添加剂的制备方法，其特征在于，所述消泡剂的制备方法，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述...
【技术特征摘要】
1.一种原硅片碱抛添加剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种原硅片碱抛添加剂的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，消泡剂、活性物质、表面光亮剂、ph调节剂、防腐剂、染色剂、防污杀菌剂和去离子水的用量比为(0.5-4)g：(0.5-4)g：(0.5-2)g：(0.1-0.3)g：(0.05-0.1)g：(0.04-0.05)g：(0.12-2)g：(90.2-94.6)ml。
3.根据权利要求1所述的一种原硅片碱抛添加剂的制备方法，其特征在于，所述消泡剂的制备方法，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种原硅片碱抛添加剂的制备方法，其特征在于，所述q1中，n,n-二乙基-1,4-苯二胺、三乙胺、乙醚和2-甲烷氧基乙基的用量比为(5.2-5.8)g：(5-5.4)g：(50-75)ml：(18.8-20.2)g，控制滴加时间为1-2h，室温反应1-2h，升温反应温度为40-50℃，反应时间为3-5h，用去离子水进行洗涤，干燥温度为50-70℃，时间为10-12h。
5.根据权利要求3所述的一种原硅片碱抛添加剂的制备方法，其特征在于，所述q2中，氯乙酸、氢氧化钠、蒸馏水、中间体1和丙酮的用量比为(3-4.5)g：(1.2-2.1)g：(10-15)ml：(16-18.8)g：(50-75)ml，加热回流温度为60-70℃，时间为4-6h，用无水乙醇进行溶解，用无水乙醇将粗产品继续溶解，加入至乙醚中进行重结晶。
6.根据权利要求1所述的一种原硅片碱抛添加剂的制备方法，其特征在于，所述活性物质由烷基糖苷、焦亚硫酸钠和次氯酸钠中的一种或多种组成；表面光亮剂由糖粉、吡啶-3-甲酸、硅藻土和硫...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾竹君，陈佳琴，赵晶，张震华，
申请(专利权)人：绍兴拓邦新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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