【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及模块连接结构，尤其涉及一种芯片连接结构、装置和制作方法。
技术介绍
1、随着技术进步，在半导体芯片制造和封装过程中，大多功率半导体芯片已做到逐渐增高的结温能力，模块中的温度短板从原先的芯片主要变成了芯片间的连接强度，现有大多铝线键合以及焊料层来实现芯片连接，而铝线键合脱落以及焊料层老化为主要的可靠性失效模式，因此在芯片封装过程中，需要提高连接强度以降低失效风险。
技术实现思路
1、为了克服上述技术缺陷，本专利技术的目的在于提供一种芯片连接结构、模块和制作方法，用于解决现有芯片连接强度不够，失效风险较高的问题。
2、本专利技术公开了一种芯片连接结构，
3、包括衬底、芯片、第一固态铜片和第二固态铜片；
4、所述第一固态铜片和第二固态铜片烧结连接于所述芯片上下两侧，且所述芯片通过所述第一固态铜片的烧结与所述衬底连接。
5、优选地，所述第一固态铜片和第二固态铜片通过共用压头同步烧结。
6、优选地，所述第二固态铜片形成一定弯折...
【技术保护点】
1.一种芯片连接结构，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的芯片连接结构，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的芯片连接结构，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的芯片连接结构，其特征在于：
5.根据权利要求3所述的芯片连接结构，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的芯片连接结构，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的芯片连接结构，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的芯片连接结构，其特征在于：
9.一种模块，其特征在于，应用上述权利要求1-8中任一项所述的芯片连接结构；<...
【技术特征摘要】
1.一种芯片连接结构，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的芯片连接结构，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的芯片连接结构，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的芯片连接结构，其特征在于：
5.根据权利要求3所述的芯片连接结构，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的芯片连接结构，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏雨昕，
申请(专利权)人：臻驱科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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