一种陶瓷热沉表面多层金属化制备方法技术

本发明专利技术提供了一种陶瓷热沉表面多层金属化制备方法，该方法包括通过等离子体增强化学气相沉积在陶瓷基板表面沉积一层硅基化合物薄膜，以提供强附着力基础，减少金属层脱落或剥离的风险；通过分子束外延沉积钛金属层，并在钛金属表面沉积纳米量子点结构，增强金属化层的耐高温性和热稳定性；使用喷雾热解法沉积一层二氧化硅，提供有效的电气隔离，提升金属化层的抗击穿能力；再通过光刻技术在二氧化硅层上沉积金属化层，并通过自适应形态优化算法控制金属化层的导电路径；过微尺寸焊料颗粒沉积焊料层，确保模块间的电气连接。该方法有效解决了现有技术中金属层附着力差、电气隔离性不足及耐高温性差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种陶瓷热沉表面多层金属化制备方法。

技术介绍

1、随着电子设备的功能的日益复杂化，对热管理系统的需求日益增加，陶瓷热沉因其优异的热导性能和机械强度，成为电子设备中常用的散热材料之一。然而，由于陶瓷本身的脆性以及难以与金属进行有效连接，陶瓷热沉的表面金属化处理一直是一个技术难题。

2、现有的陶瓷热沉金属化技术，尽管能够提供一定的导电性和热导性，但存在着金属化层附着力不强、耐高温性差、以及电气隔离不完全等问题，尤其是在高精度和高电压应用中此外，随着小型化电子设备对热沉体积和功率密度要求的提高，传统的金属化方法难以满足日益严格的性能需求。

3、因此，如何在陶瓷热沉表面实现多层金属化，并解决现有技术中的金属层附着力、绝缘性和耐高温性差的问题是需要解决的技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了解决以上现有技术的不足，提供一种陶瓷热沉表面多层金属化制备方法，解决现有技术中金属层附着力差、电气隔离性不足及耐高温性差的问题，显著提高了电子模块的可靠性与性能，本专利技术的这个本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种陶瓷热沉表面多层金属化制备方法，其特征在于，包括：通过等离子体增强化学气相沉积方式在陶瓷基板的表面沉积一层硅基化合物薄膜；通过分子束外延沉积方式沉积一层钛金属层，并在钛金属层表面沉积纳米量子点结构；在钛金属层的表面通过喷雾热解法沉积一层二氧化硅；在二氧化硅上通过光刻技术沉积金属化层，并通过自适应形态优化算法控制金属化层的导电路径；通过微尺寸焊料颗粒在金属化层上沉积一层焊料层。

2.根据权利要求1所述的一种陶瓷热沉表面多层金属化制备方法，其特征在于，所述通过等离子体增强化学气相沉积方式在陶瓷基板的表面沉积一层硅基化合物薄膜包括：使用氩气或氮气对陶瓷表面进行清洗；选择含二...

【技术特征摘要】

1.一种陶瓷热沉表面多层金属化制备方法，其特征在于，包括：通过等离子体增强化学气相沉积方式在陶瓷基板的表面沉积一层硅基化合物薄膜；通过分子束外延沉积方式沉积一层钛金属层，并在钛金属层表面沉积纳米量子点结构；在钛金属层的表面通过喷雾热解法沉积一层二氧化硅；在二氧化硅上通过光刻技术沉积金属化层，并通过自适应形态优化算法控制金属化层的导电路径；通过微尺寸焊料颗粒在金属化层上沉积一层焊料层。

2.根据权利要求1所述的一种陶瓷热沉表面多层金属化制备方法，其特征在于，所述通过等离子体增强化学气相沉积方式在陶瓷基板的表面沉积一层硅基化合物薄膜包括：使用氩气或氮气对陶瓷表面进行清洗；选择含二甲基硅烷或四氯化硅的化学气体，通过等离子体增强化学气相沉积方式将化学气体激发并沉积在陶瓷基板的表面，形成均匀的硅基化合物薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种陶瓷热沉表面多层金属化制备方法，其特征在于，所述通过分子束外延沉积方式沉积一层钛金属层，并在钛金属层表面沉积纳米量子点结构包括：选择钛四氯化物作为钛金属源；在高真空环境下通过分子束外延沉积方法将钛金属源分子束沉积到陶瓷基板表面；选择硫化镉或氮化镓作为量子点材料，通过蒸发沉积或溶液浸渍方法将量子点材料均匀沉积在钛金属层表面；对钛金属层热处理或光照处理。

4.根据权利要求1所述的一种陶瓷热沉表面多层金属化制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：周东平，张鑫，
申请(专利权)人：镇江晶鼎光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：