一种QFN封装结构及QFN封装方法技术

本发明专利技术提供一种QFN封装结构及QFN封装方法，QFN封装结构中，芯片焊接面与引线框架第一表面齐平，引线框架环绕芯片，芯片有源面通过与引线框架第二表面上的引脚引线键合；塑封层包裹芯片的有源面、键合引线和引线框架的第二表面及之间的空隙。本发明专利技术去除QFN封装的引线框架中承载芯片的基岛，减少QFN封装总厚度，有利于QFN封装小型化；同时去除基岛使芯片焊接面裸露，减少芯片散热热阻，提高散热效率；另外，去除基岛同时去除与基岛连接的导热系数较差的装片胶，进一步提高芯片的散热效率；最后，通过使用粘性薄膜在设置塑封层前将芯片固定在引线框架内，提高去除薄膜的效率，并降低去除薄膜对芯片等结构的影响，提高QFN封装结构的性能可靠性和生产良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造，特别是涉及一种qfn封装结构及qfn封装方法。

技术介绍

1、目前能够实现封装尺寸小型化的主流的封装形式中包括qfn(方形扁平无引脚形式，quad flat no-leads package)。而qfn封装结构主要包括芯片、键合引线、引脚、基岛和塑封层。现有的qfn封装结构的主要工艺流程包括：将芯片通过贴片材料焊接或者粘接在基岛的表面；然后通过键合引线的形式把芯片有源面的电路连接到引线框架上作为qfn封装结构的引脚引出；最后经过树脂等塑封层材料对芯片、引线框架和键合引线及其间隙进行塑封；最后使用冲压机成型、切割，得到qfn封装结构的成品。

2、然而，随着对芯片封装小型化的要求越来越高，传统的qfn封装的尺寸越来越难以满足当前更高端的小型化应用需求；同时随着对芯片集成度的要求越来越高，qfn封装结构内的芯片散热量也越来越大，导致芯片温度升高速度更快，工作相同时间内达到的温度更高，从而更容易影响qfn封装结构的产品良率、使用寿命和性能可靠性。

3、因此，亟需一种能进一步减小qfn封装结构的封装尺寸并提高本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种QFN封装结构，其特征在于，所述QFN封装结构包括：芯片、引线框架、键合引线和塑封层；

2.根据权利要求1所述的QFN封装结构，其特征在于，所述芯片的有源面与所述引线框架的第二表面齐平。

3.根据权利要求1所述的QFN封装结构，其特征在于，所述塑封层远离所述焊接面的一面与所述键合引线之间的最小距离大于50微米。

4.一种QFN封装方法，其特征在于，所述QFN封装方法用于得到权利要求1-3中任意一项所述的QFN封装结构，所述QFN封装方法包括：

5.根据权利要求4所述的QFN封装方法，其特征在于，采用化学刻蚀的方式对所述框架基板进行图...

【技术特征摘要】

1.一种qfn封装结构，其特征在于，所述qfn封装结构包括：芯片、引线框架、键合引线和塑封层；

2.根据权利要求1所述的qfn封装结构，其特征在于，所述芯片的有源面与所述引线框架的第二表面齐平。

3.根据权利要求1所述的qfn封装结构，其特征在于，所述塑封层远离所述焊接面的一面与所述键合引线之间的最小距离大于50微米。

4.一种qfn封装方法，其特征在于，所述qfn封装方法用于得到权利要求1-3中任意一项所述的qfn封装结构，所述qfn封装方法包括：

5.根据权利要求4所述的qfn封装方法，其特征在于，采用化学刻蚀的方式对所述框架基板进行图形化。

6.根据权利要求4所述的qfn封装方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴兴诚，
申请(专利权)人：瑶芯微上海电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：