【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米碲化铋制备,具体涉及一种纳米碲化铋及其制备工艺。
技术介绍
1、纳米碲化铋(bi2te3)是一种重要的半导体材料,广泛应用于热电器件、光电器件和传感器等领域。由于其优异的热电性能和可调节性,纳米级别的碲化铋材料在提高热电转换效率方面具有显著优势。纳米碲化铋粉体的制备方法多种多样,常见的制备方法包括:溶剂热法、溶液法、气相沉积法、机械合金化法等;
2、如中国专利cn115385307a,其采用采用熔炼铸锭和干法球磨结合的方式,在球磨过程中采用加入乙酸乙酯助分散,所得碲化铋块体的热电性能得到明显的提升,热电优值zt得到提高;
3、又如中国专利cn112723322a一种利用水热法制备层状碲化铋纳米颗粒的方法,通过水热、洗涤、干燥得到碲化铋纳米颗粒;
4、但是上述这些方法无法进行模板化控制形貌,稳定粒径分布。
技术实现思路
1、本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种纳米碲化铋及其制备工艺。
2、本专利技术通过以下技术方案
...【技术保护点】
1.一种纳米碲化铋的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种纳米碲化铋的制备工艺,其特征在于,所述步骤S1中真空干燥箱设置60~70℃加热8~12h。
3.根据权利要求1所述的一种纳米碲化铋的制备工艺,其特征在于,所述步骤S2中碲酸钠水溶液的浓度为1~2mol/L。
4.根据权利要求1所述的一种纳米碲化铋的制备工艺,其特征在于,所述步骤S4中氢氧化钠的浓度为75%。
5.一种纳米碲化铋,其特征在于,由权利要求1-4中任一项所述制备工艺制得。
【技术特征摘要】
1.一种纳米碲化铋的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种纳米碲化铋的制备工艺,其特征在于,所述步骤s1中真空干燥箱设置60~70℃加热8~12h。
3.根据权利要求1所述的一种纳米碲化铋的制备工艺,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:王璨,俞鹰,钱俊杰,方支灵,潘荣选,戴超,蔡晨龙,黄河,陈诚,方愈,朱伟松,李然,金伟,马魏魏,
申请(专利权)人:安徽铜冠产业技术研究院有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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