【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体参数测量，尤其涉及一种检测背封衬底应力的方法、装置、设备及介质。
技术介绍
1、半导体制程工艺中，为了防止单晶硅片（也可称之为衬底或单晶衬底）在外延生长阶段防止出现自掺杂现象，通常会对硅片进行背封。硅片背封技术是一种常用的阻止自掺杂的手段，其通过在硅片背面沉积一层例如二氧化硅膜之类的背封层来将掺杂剂原子封闭在硅片内，从而有效抑制掺杂剂向外扩散。
2、衬底在背封二氧化硅膜后存在残余应力，对于该应力的检测方案，目前通常是在设定背封层的应力均匀的情况下，根据背封层前后的硅片曲率变化利用stoney公式计算背封层过程产生的残余应力，并且该残余应力是针对整个背封层而言的。但是在具体实施过程中，背封层与衬底之间存在过渡区域，该过渡区域的材料性质既不同于背封层，也不同于衬底，从而导致背封层的应力并不均匀。
3、因此，当前针对背封层的应力的检测方案所得到的结果准确率较低。
技术实现思路
1、本公开提供了一种检测背封衬底应力的方法、装置、设备及介质；能够提高背封层的应
【技术保护点】
1.一种检测背封衬底应力的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据背封前、后的形貌变化获取所述衬底中残余应力造成的第一弯矩，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在背封后的衬底表面上的任一采样点，检测所述采样点处的沿深度方向的杨氏模量，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述基于纳米压痕的连续刚度法测量所述采样点处的沿深度方向的杨氏模量之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述采样点处的沿深度方向的杨氏模量，获...
【技术特征摘要】
1.一种检测背封衬底应力的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据背封前、后的形貌变化获取所述衬底中残余应力造成的第一弯矩，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在背封后的衬底表面上的任一采样点，检测所述采样点处的沿深度方向的杨氏模量，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述基于纳米压痕的连续刚度法测量所述采样点处的沿深度方向的杨氏模量之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述采样点处的沿深度方向的杨氏模量，获取背封后的衬底在所述采样点处的背封层的第二弯矩，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于弯矩平衡的性质，通过所述第一弯矩以及所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁力军，衡鹏，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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