一种SiO2@BN核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法技术

一种SiO<subgt;2</subgt;@BN核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法，它属于电介质绝缘技术领域。本发明专利技术提供了一种SiO<subgt;2</subgt;@BN核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法，通过引入SiO<subgt;2</subgt;@BN核壳结构填料，在聚醚酰亚胺基体内形成异质结构，构建局部电场以抑制击穿路径。这种结构在异质结界面处由于电子转移形成始终存在一个方向与外部电场方向相反的电场，可以有效抵消外加电场的作用，并且可以有效抑制载流子在复合介质内部的输运，降低薄膜的电流密度，最终有效提高薄膜的绝缘性能。这种改性PEI薄膜在OLED领域具有巨大的应用潜力，尤其是在提高器件的稳定性和延长寿命方面展现出显著优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电介质绝缘，具体涉及一种sio2@bn核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法。

技术介绍

1、在oled显示技术飞速发展的今天，聚醚酰亚胺(pei)绝缘薄膜因其出色的耐热性、电绝缘性能和化学稳定性，在制造过程中发挥着重要作用。然而，随着oled技术不断追求更高的分辨率和更为复杂的显示效果，对pei薄膜的电绝缘性能提出了更为严苛的要求。在高压环境下，传统的聚醚酰亚胺(pei)薄膜的电性能容易出现衰减，这种现象严重影响了oled器件的性能，并对其长期可靠性带来了严峻的考验。这归因于，传统pei薄膜在高电场条件下的载流子迁移率较高，这导致导电率异常升高，进而增加了电导损耗，限制了其在高端应用领域的推广。更甚的是，在高压条件下，pei薄膜容易发生击穿现象，这进一步降低了器件的稳定性和使用寿命。这些缺陷主要归咎于聚合物基体内部自由电子的过度迁移，从而引发绝缘性能的失效。因此，现有pei薄膜在绝缘性能和耐高压性能方面存在明显的不足，难以满足市场对高性能电子器件日益增长的需求。为了有效应对这些挑战，亟需研发新型绝缘材料，以显著提升薄膜的绝缘性能和抗电击穿本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiO2@BN核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法，其特征在于所述制备方法具体是按以下步骤完成的：

2.根据权利要求1所述的一种SiO2@BN核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中所述的羟基化二氧化硅的质量与去离子水的体积比为(0.095g～0.57g):(21mL～63mL)；步骤一中所述的羟基化二氧化硅的粒径为30nm；步骤一中所述的超声搅拌的时间为1h～2h。

3.根据权利要求1所述的一种SiO2@BN核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述的叔丁醇、三聚氰胺粉末和硼酸粉末的用量比为(29mL～87m...

【技术特征摘要】

1.一种sio2@bn核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法，其特征在于所述制备方法具体是按以下步骤完成的：

2.根据权利要求1所述的一种sio2@bn核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中所述的羟基化二氧化硅的质量与去离子水的体积比为(0.095g～0.57g):(21ml～63ml)；步骤一中所述的羟基化二氧化硅的粒径为30nm；步骤一中所述的超声搅拌的时间为1h～2h。

3.根据权利要求1所述的一种sio2@bn核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述的叔丁醇、三聚氰胺粉末和硼酸粉末的用量比为(29ml～87ml):(0.061g～0.183g):(0.059g～0.177g)；步骤一中所述的羟基化二氧化硅的质量与步骤二中所述的叔丁醇的体积比为(0.095g～0.57g):(29ml～87ml)。

4.根据权利要求1所述的一种sio2@bn核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中所述的加热搅拌的温度为80℃，加热搅拌的时间为30min～50min；步骤二中所述的超声的时间为30min～50min。

5.根据权利要求1所述的一种sio2@bn核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中室温下放置的时间为30min～50min；步骤二中所述的冷冻干燥的温度为-60℃～-50℃，冷冻干燥的时间为24h～48h；步骤二中分次加入硼酸粉末。

6.根据权利要求1所述的一种sio2@bn核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法，其特征在于步骤三中所述的退火的温度为1400℃，退火的时间为3h。

7.根据权利要求1所述的一种sio2@bn核壳结构改性聚醚酰亚胺绝缘薄膜的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂麒曌，刘晓旭，孙家明，李陶琦，
申请(专利权)人：大同共聚西安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：