【技术实现步骤摘要】
本公开涉及存储芯片测试，尤其涉及一种存储芯片的读写控制方法、系统、设备、介质和程序产品。
技术介绍
1、目前针对eeprom（electrically erasable programmable read only memory，带电可擦可编程只读存储器）、nor flash（一种非易失闪存技术）等存储类的芯片，在对其进行设计验证、成品测试、样品导入测试、可靠性测试、失效分析测试时，都需要对存储芯片的存储阵列全范围进行测试。
2、目前的存储芯片读写系统功能设计方案为：读写系统操作软件设置数据缓存区，用来映射存储芯片内的数据。写操作将要写入的数据填充在数据缓存区对应地址，再将数据缓存区的全部数据（包括需要新写入的数据和存储芯片已成功写入的数据）写入到存储芯片的全阵列，读操作是读出存储芯片全阵列数据，呈现在读写系统操作软件的数据缓存区。如图1所示为24c02系列eeprom存储芯片对应读写系统操作软件的数据缓存区界面示意图。
3、当前系统的数据校验功能是其操作软件数据缓存区数据与读出芯片内存储数据做比对，不能实现存储...
【技术保护点】
1.一种存储芯片的读写控制方法，其特征在于，所述读写控制方法包括：
2.如权利要求1所述的存储芯片的读写控制方法，其特征在于，所述基于所述第二校验码和所述第三校验码，对所述存储芯片进行读写控制的步骤包括：
3.如权利要求2所述的存储芯片的读写控制方法，其特征在于，所述基于所述第四校验码，对所述存储芯片进行读写控制的步骤包括：
4.如权利要求3所述的存储芯片的读写控制方法，其特征在于，所述响应于所述第四校验码不为所述第一预设值，确定所述存储芯片的读写过程错误的步骤之后，还包括：
5.如权利要求4所述的存储芯片的读写控制方法...
【技术特征摘要】
1.一种存储芯片的读写控制方法，其特征在于，所述读写控制方法包括：
2.如权利要求1所述的存储芯片的读写控制方法，其特征在于，所述基于所述第二校验码和所述第三校验码，对所述存储芯片进行读写控制的步骤包括：
3.如权利要求2所述的存储芯片的读写控制方法，其特征在于，所述基于所述第四校验码，对所述存储芯片进行读写控制的步骤包括：
4.如权利要求3所述的存储芯片的读写控制方法，其特征在于，所述响应于所述第四校验码不为所述第一预设值，确定所述存储芯片的读写过程错误的步骤之后，还包括：
5.如权利要求4所述的存储芯片的读写控制方法，其特征在于，所述基于所述第四校验码对目标数据进行修改的步骤包括：
6.如权利要求5所述的存储...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩俊杰，温江波，朱小红，焦双南，朱健安，季雨西，吴志运，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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