【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体设备，特别涉及一种下电极组件及等离子体处理装置。
技术介绍
1、在半导体制造
，经常需要在等离子体处理装置内对待处理晶圆进行等离子体处理。等离子体处理装置具有一个真空的反应腔，所述反应腔内设有基座和设施板，所述设施板设置在基座的下方，基座用于承载晶圆并作为反应腔的下电极。
2、基座和设施板的周围设有多个部件，分别用于控制晶圆边缘的射频电场分布、形成反应腔内等离子体与地之间的射频回路等。基座、设施板与周围的部件之间存在热变形容纳间隙，即使在工艺温度下，该间隙仍然存在。在一些工艺(如高深宽比刻蚀工艺)中，需要向下电极馈入较高的射频功率，使得下电极与周围部件之间具有较大的电压差，因而在上述间隙中容易发生电弧放电，这将损坏反应腔内的部件，影响晶圆加工的安全性。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种下电极组件及等离子体处理装置，以降低下电极组件因发生电弧放电而被击穿的风险，保证影响晶圆加工的安全性。
2、为了达到上述目的，本技术提供一种下电极组件，设...
【技术保护点】
1.一种下电极组件，设置在一真空反应腔内，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，还包括下接地环；所述下接地环沿所述基座的径向设置并支承所述下隔离环；通过所述第一紧固件连接所述下隔离环和所述下接地环。
3.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述下隔离环的顶面开有与所述上隔离环位置对应的环形凹槽；所述第一弹性绝缘环的下部位于所述环形凹槽内，并弹性接触所述环形凹槽的侧壁；所述第一紧固件穿设所述环形凹槽的底壁。
4.如权利要求3所述的下电极组件，其特征在于，所述上隔离环的下部位于所述环形凹槽内。
<...【技术特征摘要】
1.一种下电极组件，设置在一真空反应腔内，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，还包括下接地环；所述下接地环沿所述基座的径向设置并支承所述下隔离环；通过所述第一紧固件连接所述下隔离环和所述下接地环。
3.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述下隔离环的顶面开有与所述上隔离环位置对应的环形凹槽；所述第一弹性绝缘环的下部位于所述环形凹槽内，并弹性接触所述环形凹槽的侧壁；所述第一紧固件穿设所述环形凹槽的底壁。
4.如权利要求3所述的下电极组件，其特征在于，所述上隔离环的下部位于所述环形凹槽内。
5.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述反应腔内的温度低于工艺温度时，所述上隔离环的内侧壁与所述第一弹性绝缘环之间具有热变形容纳间隙。
6.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述上隔离环的内侧壁开有安装槽，用于容纳所述第一弹性绝缘环。
7.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述第一弹性绝缘环的顶面低于所述上隔离环的顶面。
8.如权利要求2所述的下电极组件，其特征在于，所述设施板的内部具有多个横向通道和多个第一纵向通道，每个所述横向通道分别连通一个所述第一纵向通道；所述基座的内部设有多个第二纵向通道，每个所述第二纵向通道分别连通一个所述第一纵向通道；所述横向通道与对应的第一纵向通道、第二纵向通道形成一个用于向基座周围的电气元件供电的电气通道。
9.如权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，所述横向通道包含形成在设施板外侧壁的第一安装口；所述第一弹性绝缘环覆盖所述第一安装口。
10.如权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，所述第一纵向通道包含形成在设施板底面的第二安装口；所述下电极组件还包含第二弹性绝缘环；所述第二弹性绝缘环设置在所述设施板与所述下隔离环之间，并覆盖所述第二安装口。
11.如权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，所述电气元件为边缘电极，所述电气通道内容纳的为用于向所述边缘电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭二飞，左涛涛，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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