【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及一种电子设备，更具体地，涉及一种半导体器件及该半导体器件的制造方法。
技术介绍
1、近来，随着电子设备的小型化、低功耗、性能提高、多样化等，在诸如计算机和便携式通信设备的多种电子设备中需要能够存储信息的半导体器件。因此，已经对能够利用根据所施加的电压或电流在不同电阻状态之间切换的特性来存储数据的半导体器件进行了研究。这种半导体器件的示例包括电阻式随机存取存储器(rram)、相变随机存取存储器(pram)、铁电随机存取存储器(fram)、磁随机存取存储器(mram)、电熔丝等。
技术实现思路
1、在实施例中，半导体器件可以包括：存取线；可变电阻层；电极，位于存取线与可变电阻层之间；以及阻挡结构，位于存取线与电极之间并包括非晶阻挡件。
2、在实施例中，半导体器件可以包括：第一存取线；第二存取线，与第一存取线交叉；存储单元，连接在第一存取线和第二存取线之间并包括可变电阻层；晶体阻挡件，位于存储单元与第一存取线之间；以及非晶阻挡件，位于晶体阻挡件与存储单元之间。>
3、在实施例本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡结构还包括扩散阻挡件，以及所述非晶阻挡件的电阻率高于所述扩散阻挡件的电阻率。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述扩散阻挡件位于所述非晶阻挡件和所述存取线之间。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述阻挡结构还包括位于所述扩散阻挡件和所述存取线之间的电阻阻挡件，以及所述电阻阻挡件的电阻率高于所述非晶阻挡件的电阻率。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述非晶阻挡件位于所述扩散阻挡件和所述电极之间。
6.根据...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡结构还包括扩散阻挡件，以及所述非晶阻挡件的电阻率高于所述扩散阻挡件的电阻率。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述扩散阻挡件位于所述非晶阻挡件和所述存取线之间。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述阻挡结构还包括位于所述扩散阻挡件和所述存取线之间的电阻阻挡件，以及所述电阻阻挡件的电阻率高于所述非晶阻挡件的电阻率。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述非晶阻挡件位于所述扩散阻挡件和所述电极之间。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述扩散阻挡件包括金属氮化物，以及所述非晶阻挡件包括金属氮氧化物。
7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述扩散阻挡件包括石墨烯，以及所述非晶阻挡件包括氧化石墨烯。
8.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述扩散阻挡件包括石墨烯，以及所述非晶阻挡件包括还原氧化石墨烯。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述非晶阻挡件包括金属氧氮化物、氧化石墨烯和还原氧化石墨烯中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡结构包括交替堆叠的多个扩散阻挡件和多个非晶阻挡件。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡结构还包括位于所述非晶阻挡件和所述存取线之间的电阻阻挡件，以及所述电阻阻挡件的电阻率高于所述非晶阻挡件的电阻率。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述电阻阻挡件包括氮化钨硅层。
13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述阻挡结构还包括位于所述非晶阻挡件和所述电阻阻挡件之间的扩散阻挡件。
14.一种半导体器件，包括：
15.根据权利要求14所述的半导体器件，还包括电阻阻挡件，所述电阻阻挡件位于所述晶体阻挡件和所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金圣贤，金珉秀，朴在星，朴徹峻，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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