一种红光Micro LED高光效外延结构制造技术

本发明专利技术公开了一种红光Micro LED高光效外延结构，通过在P型AlInP限制层和P型GaP电流扩展层之间引入高能带横向扩展层，优化电流分布、减少电子溢流以及增强侧壁性能，有效提高了量子效率和光提取效率，同时增强了器件的高温稳定性和长期可靠性。该横向扩展层为创新性的超晶格结构，由高掺杂GaP层、低掺杂GaP层和Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;P层交替组成。本发明专利技术适用于小尺寸、高分辨率显示屏、车载高温显示器以及低功耗增强现实眼镜等场景，具有广泛的应用前景和工业价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管(light emitting diode,led)，特别是涉及一种红光micro led外延结构的设计和制造方法。

技术介绍

1、随着显示技术的发展，micro led因其高亮度、低功耗和高可靠性而逐渐成为新一代显示器件的首选。然而，随着micro led芯片尺寸的逐渐缩小，发光效率骤降的问题日益严重。尤其在红光波段，由于材料特性导致的载流子泄露和非辐射复合问题更加突出，制约了micro led在高分辨率显示屏、高温车载显示和超小型低功耗显示中的应用。

2、现有技术中，常见的金属finger结构虽能部分缓解电流分布不均的问题，但却存在遮光效应严重、电流拥挤和高温稳定性差等问题。这些缺陷显著降低了micro led的性能和应用范围。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本专利技术提出了一种红光micro led高光效外延结构，通过在p型alinp限制层和p型gap电流扩展层之间引入高能带横向扩展层，优化电流分布、减少电子溢流以及增强侧壁性能，实现了量子效率和光提取效率的提升本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种红光Micro LED外延结构，包括依次生长在GaAs衬底上的以下层结构：

2.根据权利要求1所述的红光Micro LED外延结构，其特征在于，所述N型GaAs缓冲层厚度150～300nm，掺杂剂为Si2H6，掺杂浓度为1～2×1018atoms/cm3。

3.根据权利要求1所述的红光Micro LED外延结构，其特征在于，所述×1018atoms/cm3所述N型AlGaInP腐蚀停层的成分为(AlaGa1-a)0.5In0.5P，其中0≤a≤0.6，厚度100～200nm，掺杂剂为Si2H6，掺杂浓度为1～3×1018atoms/cm3。

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【技术特征摘要】

1.一种红光micro led外延结构，包括依次生长在gaas衬底上的以下层结构：

2.根据权利要求1所述的红光micro led外延结构，其特征在于，所述n型gaas缓冲层厚度150～300nm，掺杂剂为si2h6，掺杂浓度为1～2×1018atoms/cm3。

3.根据权利要求1所述的红光micro led外延结构，其特征在于，所述×1018atoms/cm3所述n型algainp腐蚀停层的成分为(alaga1-a)0.5in0.5p，其中0≤a≤0.6，厚度100～200nm，掺杂剂为si2h6，掺杂浓度为1～3×1018atoms/cm3。

4.根据权利要求1所述的红光micro led外延结构，其特征在于，所述n型algainp电流扩展层的成分为(albga1-b)0.5in0.5p，其中0.3≤b≤1，厚度500～2500nm，掺杂剂为si2h6，载流子浓度1×1018～3×1018atoms/cm3。

5.根据权利要求1所述的红光micro led外延结构，其特征在于，所述所述n型algainp欧姆接触层的成分为(alcga1-c)0.5in0.5p其中，0.3≤c≤1，厚度0.5～1.5um，掺杂剂为si2h6，载流子浓度3×1018～6×1018atoms/cm3。

6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张瑶，请求不公布姓名，赵易，袁乐，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：