一种DSRD器件的非线性电容模型的建模及应用方法技术

本发明专利技术涉及一种DSRD器件的非线性电容模型的建模及应用方法，建模方法包括以下步骤：对非线性电容进行拆分，建立DSRD器件非线性电容的电流表达式；根据DSRD器件非线性电容的电流表达式和DSRD器件的工作原理，构建DSRD器件的非线性电容待拟合模型；根据最佳模型CV曲线更新DSRD器件的非线性电容待拟合模型中的待拟合参数，得到DSRD器件的非线性电容模型。通过本发明专利技术提供的DSRD器件的非线性电容模型的建模方法所建立的DSRD器件的非线性电容模型，能够实现了全电压范围内DSRD非线性电容的准确拟合，能够实现脉冲上升时间的精准仿真。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体仿真，具体涉及一种dsrd器件的非线性电容模型的建模及应用方法。

技术介绍

1、近年来，超快高脉冲功率技术在食品加工、医疗处理、水处理、废气处理、臭氧产生和离子注入等领域具有广泛的应用。开关是脉冲功率技术的关键部分，其特性参数对输出脉冲的上升时间、幅值、关断时间有直接影响。sic漂移阶跃恢复二极管(drift steprecovery diode，dsrd)由于开关速度快、重复频率高、可堆叠等优点，是一种可输出纳秒级的瞬时窄脉冲信号的高功率超快半导体开关。

2、1975年，美国加州大学的伯克利分校开发了spice(simulation program forintegrated circuits emphasis)程序，随着计算机技术的发展，spice逐渐发展为pspice软件，借助于该电路软件，用户可进行大量的电路仿真实验来预测电路的性能。器件模型是连接电路设计与工艺生产的桥梁，器件模型的准确度直接影响电路的仿真结果。为使得仿真结果与实际结果更接近，必须建立准确的器件模型，从而提高设计效率，降低设计成本。

3、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种DSRD器件的非线性电容模型的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种DSRD器件的非线性电容模型的建模方法，其特征在于，所述DSRD器件的工作原理包括：正向注入、反向抽取和快速关断。

3.根据权利要求2所述的一种DSRD器件的非线性电容模型的建模方法，其特征在于，所述DSRD器件非线性电容的电流表达式为：

4.根据权利要求3所述的一种DSRD器件的非线性电容模型的建模方法，其特征在于，所述DSRD器件的非线性电容待拟合模型包括：压控电流源Gs、电压源VS3、电阻RS、压控电压源E3、电压源VS4和线性电容C0，其中，...

【技术特征摘要】

1.一种dsrd器件的非线性电容模型的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种dsrd器件的非线性电容模型的建模方法，其特征在于，所述dsrd器件的工作原理包括：正向注入、反向抽取和快速关断。

3.根据权利要求2所述的一种dsrd器件的非线性电容模型的建模方法，其特征在于，所述dsrd器件非线性电容的电流表达式为：

4.根据权利要求3所述的一种dsrd器件的非线性电容模型的建模方法，其特征在于，所述dsrd器件的非线性电容待拟合模型包括：压控电流源gs、电压源vs3、电阻rs、压控电压源e3、电压源vs4和线性电容c0，其中，

5.根据权利要求4所述的一种dsrd器件的非线性电容模型的建模方法，其特征在于，所述压控电流源gs的控制电压为dsrd器件两端的电压，所述压控电流源g...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙乐嘉，陈娅慧，宋庆文，郭京凯，汤晓燕，张玉明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：