【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体及半导体制造，尤其是涉及一种gan hemt注入、栅脚自对准制备方法及结构。
技术介绍
1、作为第三代宽禁带半导体的代表，氮化镓具备宽禁带、高功率、高频率、高电子迁移率、高击穿场强等显著特点。在二十一世纪，gan已跻身为电子产业新一代的微波功率器件及材料研究的热门研究对象，具有重大的发展前景。
2、随着工作频率不断增加，通常采用减小栅长以及源漏间距的做法，对于gan器件的工艺精度要求变得越来越高。然而，现有的源、漏、栅区精确对准工艺复杂，光刻机技术受国外限制，成本高且误差范围较大，影响了器件性能的提高。
3、综上所述，随着器件尺寸逐渐缩小，现有的精确对准工艺已经不能满足尺寸微缩的趋势，且工艺成本较高，开发一种简洁、低成本且准确的源、漏、栅区自对准工艺非常必要。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本专利技术提供了一种能够提高器件性能和可靠性同时提高集成电路的集成度，降低生产成本、工艺精度高的gan hemt注入和栅脚自对准工艺制备方法。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种gan hemt注入方法，包括如下步骤：
3、s1、提供衬底及形成在所述衬底上的外延层，所述外延层为多层结构；
4、s2、在所述外延层上生长第一介质层；
5、s3、在所述第一介质层上涂覆第一光刻胶层，用光刻工艺曝光显影和刻蚀第一介质层形成源注入区域、漏注入区域以及栅凹槽开窗区域；
6、s4、在所述第一光刻胶层
7、s5、在所述第一光刻胶层、源注入区域、漏注入区域以及保护辅助层上采用离子注入工艺进行si注入，形成源离子注入区、漏离子注入区，去除第一光刻胶层、第二光刻胶层和保护辅助层。
8、进一步的，所述保护辅助区填充栅凹槽开窗区域并覆盖但不超过栅凹槽开窗区域两侧的第一光刻胶层区域。
9、栅凹槽开窗区域上的保护辅助层，可以只填充覆盖住栅凹槽开窗区域，也可以填充覆盖住栅凹槽开窗区域同时还覆盖栅凹槽开窗区域两侧的部分第一光刻胶层区域，但不超过栅凹槽开窗区域两侧的全部第一光刻胶层区域。
10、进一步的，所述步骤s5中，所述步骤s5中，所述去除第一光刻胶层和第二光刻胶层采取的方法为湿法溶解光刻胶工艺结合干法去底膜工艺。
11、进一步的，所述衬底上的外延层包括成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层。
12、另一方面，本专利技术公开了一种栅脚自对准制备方法，包括如下步骤：
13、ss1、生长第二介质层：在所述第一介质层、源注入区域、栅凹槽开窗区域以及漏注入区域上生长第二介质层；
14、ss2、在所述第二介质层上采用刻蚀工艺刻蚀第二介质层形成栅脚形貌，以实现后续栅脚金属自对准，同时，对所述源注入区、漏注入区上方的第二介质层进行刻蚀，形成源开窗区域、漏开窗区域，所述栅脚、源开窗区域、漏开窗区域的边缘保留部分第二介质层介质；
15、ss3、在刻蚀后的表面涂覆第三光刻胶层，用光刻工艺对栅凹槽开窗区域曝光显影，形成t型栅金属图形，实现栅脚金属自对准；
16、ss4、蒸发栅金属层，并剥离第三光刻胶层及上方多余金属形成t型栅形貌。
17、第三光刻胶层可以为一层以上光刻胶，优选为双层光刻胶。
18、进一步的，所述步骤ss2中，所述栅脚形貌通过垂直刻蚀工艺刻蚀第二介质层形成，所述垂直刻蚀工艺为干法刻蚀。
19、进一步的，还包括以下步骤：在做完所述t型栅形貌后，在表面涂覆第四光刻胶层，用光刻工艺曝光显影，形成欧姆金属图形，蒸发欧姆金属层，并剥离第四光刻胶层及上方多余金属，在表面上生长第三介质层。
20、再一方面，本专利技术公开了一种栅脚自对准结构，包括外延层和t型栅结构，所述t型栅结构生长在外延层的栅凹槽上。
21、本专利技术同现有技术相比具有以下优点及效果：
22、1、工艺步骤简单，免除套刻精度的要求，通过简单的两次光刻实现了gan hemt源、漏区注入自对准，降低了生产成本，提高了制造良率；
23、2、不去除第一光刻胶直接涂覆第二光刻胶进行光刻，使得光刻胶利用能力达到最大，节约工艺材料成本；
24、3、受光刻机技术限制的情况下实现小栅长尺寸，节约了设备成本，同时提高器件频率性能。
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1.一种GaN HEMT注入方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT注入方法，其特征在于，所述保护辅助区填充栅凹槽开窗区域并覆盖但不超过栅凹槽开窗区域两侧的第一光刻胶层区域。
3.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT注入方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述去除第一光刻胶层和第二光刻胶层采取的方法为湿法溶解光刻胶工艺结合干法去底膜工艺。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种GaN HEMT注入方法，其特征在于，所述衬底上的外延层包括成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层。
5.基于权利要求1-4任一项的一种栅脚自对准制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
6.根据权利要求5所述的一种栅脚自对准制备方法，其特征在于：所述步骤SS2中，所述栅脚形貌通过垂直刻蚀工艺刻蚀第二介质层形成，所述垂直刻蚀工艺为干法刻蚀。
7.根据权利要求5所述的一种栅脚自对准制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：在做完所述T型栅形貌后，在表面涂覆第四光刻胶层，用光刻工艺曝光显影，形成欧姆金属图形，蒸
8.基于权利要求5-7任一项所述的一种栅脚自对准结构，其特征在于：包括外延层和T型栅结构，所述T型栅结构生长在外延层的栅凹槽上。
...【技术特征摘要】
1.一种gan hemt注入方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种gan hemt注入方法，其特征在于，所述保护辅助区填充栅凹槽开窗区域并覆盖但不超过栅凹槽开窗区域两侧的第一光刻胶层区域。
3.根据权利要求1所述的一种gan hemt注入方法，其特征在于，所述步骤s5中，所述去除第一光刻胶层和第二光刻胶层采取的方法为湿法溶解光刻胶工艺结合干法去底膜工艺。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种gan hemt注入方法，其特征在于，所述衬底上的外延层包括成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层。
5.基于权利要求1-4任一项的一种栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：方晨，王彦硕，李正国，
申请(专利权)人：海宁立昂东芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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