本发明专利技术公开了一种GaN HEMT注入、栅脚自对准制备方法及结构。本发明专利技术在外延层上生长第一介质层后涂覆第一光刻胶层，简单一次光刻后形成源注入区域、漏注入区域以及栅凹槽开窗区域，保留第一光刻胶层，直接涂覆第二光刻胶层，进行第二次简单光刻后形成栅凹槽保护辅助区；制备注入区；制备第二介质层，垂直刻蚀形成栅脚；制备T型栅金属层；制备欧姆金属层；制备第三介质层。本发明专利技术通过保留第一光刻胶层，然后涂覆第二光刻胶层进行二次光刻形成栅保护区，后续注入步骤实现自对准且无需精确光刻对准。本发明专利技术还通过引入第二介质层，结合垂直刻蚀工艺，实现了缩小栅长尺寸的目标，同时在高温退火工艺步序时保护了外延层材料不受影响。本发明专利技术解决了由于GaN HEMT器件对准工艺复杂且误差较大，受设备限制造成的良率低问题，同时又大大降低了生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体及半导体制造，尤其是涉及一种gan hemt注入、栅脚自对准制备方法及结构。
技术介绍
1、作为第三代宽禁带半导体的代表，氮化镓具备宽禁带、高功率、高频率、高电子迁移率、高击穿场强等显著特点。在二十一世纪，gan已跻身为电子产业新一代的微波功率器件及材料研究的热门研究对象，具有重大的发展前景。
2、随着工作频率不断增加，通常采用减小栅长以及源漏间距的做法，对于gan器件的工艺精度要求变得越来越高。然而，现有的源、漏、栅区精确对准工艺复杂，光刻机技术受国外限制，成本高且误差范围较大，影响了器件性能的提高。
3、综上所述，随着器件尺寸逐渐缩小，现有的精确对准工艺已经不能满足尺寸微缩的趋势，且工艺成本较高，开发一种简洁、低成本且准确的源、漏、栅区自对准工艺非常必要。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本专利技术提供了一种能够提高器件性能和可靠性同时提高集成电路的集成度，降低生产成本、工艺精度高的gan hemt注入和栅脚自对准工艺制备方法。
>2、为实现上述目的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种GaN HEMT注入方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT注入方法，其特征在于，所述保护辅助区填充栅凹槽开窗区域并覆盖但不超过栅凹槽开窗区域两侧的第一光刻胶层区域。
3.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT注入方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述去除第一光刻胶层和第二光刻胶层采取的方法为湿法溶解光刻胶工艺结合干法去底膜工艺。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种GaN HEMT注入方法，其特征在于，所述衬底上的外延层包括成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层。
5.基于权利要求1-4任一...
【技术特征摘要】
1.一种gan hemt注入方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种gan hemt注入方法，其特征在于，所述保护辅助区填充栅凹槽开窗区域并覆盖但不超过栅凹槽开窗区域两侧的第一光刻胶层区域。
3.根据权利要求1所述的一种gan hemt注入方法，其特征在于，所述步骤s5中，所述去除第一光刻胶层和第二光刻胶层采取的方法为湿法溶解光刻胶工艺结合干法去底膜工艺。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种gan hemt注入方法，其特征在于，所述衬底上的外延层包括成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层。
5.基于权利要求1-4任一项的一种栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：方晨，王彦硕，李正国，
申请(专利权)人：海宁立昂东芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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