一种正交下变频混频器制造技术

本申请提供一种正交下变频混频器，该正交下变频混频器包括第一信号输入端口、信号处理模块及混频模块，通过第一信号输入端口将射频信号转换为差分射频信号，通过信号处理模块对初始本振信号进行移相、放大及阻抗匹配，得到两个相位正交的本振信号，通过混频模块中的伪差分结构对差分射频信号进行放大，并将第一个本振信号和第二个本振信号与放大后的差分射频信号进行混频，得到两个目标中频信号。本申请提供的正交下变频混频器通过伪差分结构对差分射频信号进行放大，降低混频器的噪声系数和功耗，并通过两路本振信号提升混频速度，进一步降低混频器噪声系数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及混频器电路设计领域，具体涉及一种正交下变频混频器。

技术介绍

1、近年来，由于人们对无线产品的需求量的不断增长，射频电路也在向着高集成度、高效率的方向发展。从结构来看，混频器的结构主要分为有源混频器和无源混频器两类。有源混频器大部分都是基于gilbert结构进行的扩展。下变频混频器作为射频接收机中的关键模块，在无线射频系统中起着至关重要的作用。无论是射频通信、雷达、遥控遥感以及许多微波测量系统，都必须将射频信号用混频器变换到中频来进行处理。下变频混频器通过将天线接收到的信号与本振信号相乘，将有用信息的信号搬移到低频频段，以便后面进行目标中频信号的放大和模数转换等处理。混频器的重点关注的性能参数主要有噪声系数、增益、线性度和隔离度。但是传统gilbert结构扩展的混频电路并不能有效地解决接收机的镜像抑制度、线性度、噪声系数、功耗大等问题。

2、因此，如何提供一种噪声系数低、功耗低的正交下变频混频器，是目前亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种正交下变频混频器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的正交下变频混频器，其特征在于，所述第一信号输入端包括第一变压器、第一电容，所述第一变压器中初级线圈的第一端接所述射频信号，所述第一变压器中初级线圈的第二端接地，所述第一变压器中次级线圈的第一端接所述第一电容的第一端，所述第一变压器中次级线圈的第二端接所述第一电容的第二端，所述第一变压器中次级线圈的中心抽头接第一偏置电压，其中，所述第一电容的两端对外输出所述差分射频信号。

3.根据权利要求2所述的正交下变频混频器，其特征在于，所述信号处理模块包括移相单元、两个放大单元、两个阻抗匹配单元，所述移相单...

【技术特征摘要】

1.一种正交下变频混频器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的正交下变频混频器，其特征在于，所述第一信号输入端包括第一变压器、第一电容，所述第一变压器中初级线圈的第一端接所述射频信号，所述第一变压器中初级线圈的第二端接地，所述第一变压器中次级线圈的第一端接所述第一电容的第一端，所述第一变压器中次级线圈的第二端接所述第一电容的第二端，所述第一变压器中次级线圈的中心抽头接第一偏置电压，其中，所述第一电容的两端对外输出所述差分射频信号。

3.根据权利要求2所述的正交下变频混频器，其特征在于，所述信号处理模块包括移相单元、两个放大单元、两个阻抗匹配单元，所述移相单元对所述初始本振信号进行移相处理，得到两个相位正交的过渡本振信号，所述放大单元对所述过渡本振信号进行放大，所述匹配单元接所述放大单元，所述匹配单元用于匹配所述放大单元和所述混频模块之间的阻抗，以对外输出所述第一个本振信号和所述第二个本振信号。

4.根据权利要求3所述的正交下变频混频器，其特征在于，所述移相单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容，所述第一电阻的第一端经所述第二电容后接所述第二电阻的第二端，所述第二电阻的第一端经所述第三电容后接所述第三电阻的第二端，所述第三电阻的第一端经所述第四电容后接所述第四电阻的第二端，所述第四电阻的第一端经所述第五电容后接所述第一电阻的第二端，其中，所述第一电阻的第一端和所述第三电阻的第一端配合输入所述初始本振信号，所述第一电阻的第二端和所述第三电阻的第二端对外输出第一个过渡本振信号，所述第二电阻的第二端和所述第四电阻的第二端对外输出第二个过渡本振信号。

5.根据权利要求3所述的正交下变频混频器，其特征在于，所述放大单元包括第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第六电容、第七电容、第一npn三极管、第二npn三极管、第三npn三极管及第四npn三极管，所述第五电阻的第一端接第二偏置电压，所述第五电阻的第二端经所述第六电容后接地，所述第五电阻的第二端还接所述第一npn三极管的基极，所述第一npn三极管的发射极接所述第三npn三极管的集电极，所述第三npn三极管的基极接所述第七电阻的第一端，所述第七电阻的第二端接所述第一偏置电压，所述第三npn三极管的发射极接地，所述第六电阻的第一端接所述第二偏置电压，所述第六电阻的第二端经所述第七电容后接地，所述第六电阻的第二端还接所述第二npn三极管的基极，所述第二npn三极管的发射极接所述第四npn三极管的集电极，所述第四npn三极管的基极接所述第八电阻的第一端，所述第八电阻的第二端接所述第一偏置电压，所述第四npn三极管的发射极接所述第三npn三极管的发射极，其中，所述第三npn三极管的基极和所述第四npn三极管的基极为所述放大单元的输入端，所述第一npn三极管的集电极和所述第二npn三极管的集电极为所述放大单元的输出端。

6.根据权利要求5所述的正交下变频混频器，其特征在于，所述阻抗匹配单元包括第八电容、第二变压器、第九电容，所述第八电容的第一端接所述第二变压器中初级线圈的第一端，所述第八电容的第二端接所述第二变压器中初级线圈的第二端，所述第二变压器中初级线圈的中心抽头接电源电压，所述第二变压器中次级线圈的第一端接所述第九电容的第一端，所述第二变压器中次级线圈的第二端接所述第九电容的第二端，所述第二变压器中次级线圈的中间抽头接所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈传信，董吉，王友华，朱璨，付东兵，
申请(专利权)人：重庆吉芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：