本申请的实施例提供了一种α,α,α’‑三(4‑羟苯基)‑1‑乙基‑4‑异丙苯粗品的提纯方法，该提纯方法包括：使用不溶解α,α,α’‑三(4‑羟苯基)‑1‑乙基‑4‑异丙苯的不良溶剂除去α,α,α’‑三(4‑羟苯基)‑1‑乙基‑4‑异丙苯粗品中溶解于不良溶剂的杂质；使用溶解α,α,α’‑三(4‑羟苯基)‑1‑乙基‑4‑异丙苯的良性溶剂，通过降温结晶的方法除去α,α,α’‑三(4‑羟苯基)‑1‑乙基‑4‑异丙苯粗品中溶解于良性溶剂的杂质；其中，在使用良性溶剂溶解α,α,α’‑三(4‑羟苯基)‑1‑乙基‑4‑异丙苯粗品之后，降温至45‑55℃，加入冰醋酸搅拌之后，再降温析晶。本申请的实施例的提纯方法至少能够提高α,α,α’‑三(4‑羟苯基)‑1‑乙基‑4‑异丙苯粗品的纯度。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及α,α,α’-三(4-羟苯基)-1-乙基-4-异丙苯合成，具体涉及一种α,α,α’-三(4-羟苯基)-1-乙基-4-异丙苯粗品的提纯方法。
技术介绍
1、α,α,α’-三(4-羟苯基)-1-乙基-4-异丙苯(tppa)可用作环氧树脂、聚碳酸酯树脂等聚合物化合物的原料或者光刻胶的原料或添加剂。在光刻胶领域，tppa主要用于感光物质(pac)合成的原材料、以及光刻胶配方中的添加剂。现代半导体工业要求集成电路的尺寸越来越小，集成度越来越高，自20世纪80年代开始光刻技术从i线365nm发展到深紫外(duv，248nm和193nm)，以及下一代光刻技术中最引人注目的极紫外(euv，13.5nm)光刻技术，对应于各曝光波长的光刻胶组分(成膜树脂，感光剂和添加剂等)也随之发生变化。tppa是分子玻璃体系光刻胶中的感光物质之一，同时也是目前euv光刻技术中分子玻璃体系光刻胶的主要原料之一。因此需要tppa超高的纯度，否则会影响感光物质(pac)的组分比例，氯离子残留，溶解稳定性等。tppa的纯度不高，会影响光刻胶的各种应用性能。
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【技术保护点】
1.一种α,α,α’-三(4-羟苯基)-1-乙基-4-异丙苯粗品的提纯方法，其特征在于，所述提纯方法包括：
2.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，所述提纯方法包括以下步骤：
3.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，所述提纯方法包括以下步骤：
4.根据权利要求1-3任一项所述的提纯方法，其特征在于，所述不良溶剂为苯、卤代苯溶剂、烷基苯溶剂、烷烃或者卤代烷烃溶剂中的一种或多种溶剂；所述良性溶剂为醇类溶剂、醚类溶剂、酯类溶剂、或酮类溶剂中的一种或多种溶剂。
5.根据权利要求4所述的提纯方法，其特征在于，所述不良溶剂为苯、甲苯、二甲苯...
【技术特征摘要】
1.一种α,α,α’-三(4-羟苯基)-1-乙基-4-异丙苯粗品的提纯方法，其特征在于，所述提纯方法包括：
2.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，所述提纯方法包括以下步骤：
3.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于，所述提纯方法包括以下步骤：
4.根据权利要求1-3任一项所述的提纯方法，其特征在于，所述不良溶剂为苯、卤代苯溶剂、烷基苯溶剂、烷烃或者卤代烷烃溶剂中的一种或多种溶剂；所述良性溶剂为醇类溶剂、醚类溶剂、酯类溶剂、或酮类溶剂中的一种或多种溶剂。
5.根据权利要求4所述的提纯方法，其特征在于，所述不良溶剂为苯、甲苯、二甲苯、异丙苯、均三甲苯、庚烷、石油醚、氯苯、二氯甲烷、二氯乙烷中的至少一种；所述良性溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、丁酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸异丙酯、1,4-二氧六环、四氢呋喃、乙醚中的至少一种。
6.根据权利要求1-3任一项所述的提纯方法，其特征在于，降温至45-55℃加入冰醋酸...
【专利技术属性】
技术研发人员：马小文，杨金明，李小平，张建锋，
申请(专利权)人：大晶信息化学品徐州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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