【技术实现步骤摘要】
本申请涉及封装制备，尤其涉及一种降低虚焊风险的方法。
技术介绍
1、目前，随着芯片的尺寸、互联焊点尺寸、pitch越来越小，一般会先做电镀的合金球，然后再做倒装回流焊实现互联，合金球表面质量在先进封装后段倒装焊接回流焊的过程中的影响不可忽视，封装层面上会影响合金球回流焊的质量，电性能上，粗糙的合金球表面会影响导通电流性能。
2、优化电镀合金球质量通常有调整电镀添加剂、合金球的金属比例等方法，但对于批量性的变动及材料上的变动，成本、验证导入周期经济、效率、流程上都存在一定影响。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本申请提供了一种降低虚焊风险的方法。
2、本申请实施例提供了一种降低虚焊风险的方法，包括：
3、电镀完成后的芯片件经回流机台进行回流处理，所述回流机台包括预加热腔体、高温加热腔体、第一降温腔体、第二降温腔体和冷却腔体，所述芯片件依次进入所述预加热腔体、所述高温加热腔体、所述第一降温腔体、所述第二降温腔体和所述冷却...
【技术保护点】
1.一种降低虚焊风险的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的降低虚焊风险的方法，其特征在于，所述提高回流处理过程中用于去除所述芯片件表面氧化的甲酸的浓度为将甲酸的浓度由95％提高至98％。
3.根据权利要求1所述的降低虚焊风险的方法，其特征在于，缩短所述芯片件在所述高温加热腔体(S2)中的加热时间t2，18s≤t2≤22s。
4.根据权利要求1所述的降低虚焊风险的方法，其特征在于，提高所述预加热腔体(S1)的温度为T1，190℃≤T1≤200℃。
5.根据权利要求4所述的降低虚焊风险的方法，其特征在于，缩短所...
【技术特征摘要】
1.一种降低虚焊风险的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的降低虚焊风险的方法，其特征在于，所述提高回流处理过程中用于去除所述芯片件表面氧化的甲酸的浓度为将甲酸的浓度由95％提高至98％。
3.根据权利要求1所述的降低虚焊风险的方法，其特征在于，缩短所述芯片件在所述高温加热腔体(s2)中的加热时间t2，18s≤t2≤22s。
4.根据权利要求1所述的降低虚焊风险的方法，其特征在于，提高所述预加热腔体(s1)的温度为t1，190℃≤t1≤200℃。
5.根据权利要求4所述的降低虚焊风险的方法，其特征在于，缩短所述芯片件在所述预加热腔体(s1)中的加热时间t1，28s≤t1≤32s。
6.根据权利要求1所述的降低虚焊风险的方法，其特征在于，提高所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：单耕野，潘浩，刘伟，黄金煌，
申请(专利权)人：北京紫光青藤微系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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