【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆超精密磨削，尤其涉及防护装置、晶圆磨削模块、减薄设备及方法、数据处理设备及存储介质。
技术介绍
1、晶圆是由硅或其它半导体材料制成的圆形薄片，用于制造集成电路。晶圆磨削是半导体制造过程中的一个重要环节，主要用于调整晶圆的厚度，通常是从晶圆的非活性面进行磨削，使晶圆达到所需的规格，并提高晶圆的平面度和平整度。
2、在晶圆减薄磨削过程中，为了将晶圆背部减薄至所需厚度，通常会在一个由腔体包围的磨削区域内进行操作，在此过程中会有磨削废屑飞溅到腔体四周内壁或从腔体壁面下方的缝隙飞溅出来污染其他区域。目前通常在腔体壁面下方设置软材质的固定防水帘，然而固定防水帘存在一定的局限性，容易污染或划伤晶圆。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了防护装置、晶圆磨削模块、减薄设备及方法、数据处理设备及存储介质，从而解决或至少缓解了现有技术中存在的上述问题和其他方面的问题中的一个或多个。
2、为实现前述目的，本专利技术的第一方面提供了一种防护装置，所述防护装置用于晶圆...
【技术保护点】
1.一种防护装置(1)，所述防护装置(1)用于晶圆减薄设备(100)的晶圆磨削模块(2)，所述晶圆磨削模块(2)具有能够使晶圆在多个工位之间回转的回转工作台(3)，其特征在于，所述防护装置(1)包括：
2.如权利要求1所述的防护装置(1)，其特征在于，所述工位包括装卸工位(11)和若干磨削工位，所述防护装置(1)包括围绕所述磨削工位的罩壳(14)，所述罩壳(14)具有用于安装所述可动防护件(7)的竖向安装面(15)，所述安装面(15)位于所述装卸工位(11)和所述磨削工位之间和/或位于相邻的所述磨削工位之间。
3.如权利要求2所述的防护装置(1...
【技术特征摘要】
1.一种防护装置(1)，所述防护装置(1)用于晶圆减薄设备(100)的晶圆磨削模块(2)，所述晶圆磨削模块(2)具有能够使晶圆在多个工位之间回转的回转工作台(3)，其特征在于，所述防护装置(1)包括：
2.如权利要求1所述的防护装置(1)，其特征在于，所述工位包括装卸工位(11)和若干磨削工位，所述防护装置(1)包括围绕所述磨削工位的罩壳(14)，所述罩壳(14)具有用于安装所述可动防护件(7)的竖向安装面(15)，所述安装面(15)位于所述装卸工位(11)和所述磨削工位之间和/或位于相邻的所述磨削工位之间。
3.如权利要求2所述的防护装置(1)，其特征在于，所述罩壳(14)的底部开放，允许废液流到所述回转工作台(3)下方的集水盘中。
4.如权利要求2所述的防护装置(1)，其特征在于，在所述安装面(15)处设置有升降气缸(9)和直线导轨(10)，所述可动防护件(7)能够受所述升降气缸(9)控制而沿直线导轨(10)升降。
5.如权利要求4所述的防护装置(1)，其特征在于，所述安装面(15)处设置有两个所述直线导轨(10)和一个所述升降气缸(9)，所述直线导轨(10)对称地设置于所述升降气缸(9)的两侧。
6.如权利要求4所述的防护装置(1)，其特征在于，所述升降气缸(9)连接有控制器，所述控制器负责接受指令并通过电信号来驱动升降气缸(9)执行相应的动作。
7.如权利要求2所述的防护装置(1)，其特征在于，所述可动防护件(7)包括防护板(23)，在进行晶圆磨削时所述防护板(23)的下端降到所述导流槽(5)中、在回转所述回转工作台(3)时所述防护板(23)的下端升到高于所述分隔导流条(4)。
8.如权利要求7所述的防护装置(1)，其特征在于，所述防护板(23)由耐腐蚀性材料质制成。
9.如权利要求7所述的防护装置(1)，其特征在于，所述导流槽(5)的槽内底面沿径向向外逐渐倾斜变低，所述防护板(23)的底端以与所述导流槽(5)的槽内底面相同的角度倾斜。
10.如权利要求7所述的防护装置(1)，其特征在于，所述可动防护件(7)进一步包括升降板(8)，所述升降板(8)固定于所述防护板(23)的顶端，所述防护板(23)与所述升降板(8)随动，所述升降板(8)受升降气缸(9)控制，能够沿直线导轨(10)升降。
11.如权利要求2所述的防护装置(1)，其特征在于，所述防护装置(1)进一步包括固定于所述罩壳(14)的固定防护件(6)，所述固定防护件(6)设置于所述回转工作台(3)的外侧边，用于防止废液外溅。
12.如权利要求11所述的防护装置(1)，其特征在于，所述固定防护件(6)包括外侧刚性挡边(16)和内侧软质挡边...
【专利技术属性】
技术研发人员：李小娟，靳凯强，刘远航，赵德文，路新春，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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