一种基于单晶氧化物的柔性阻变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于单晶氧化物的柔性阻变存储器及其制备方法，制备方法包括：利用高温固相反应制备得到水溶性陶瓷靶材；采用高温固相反应制备得到受主掺杂的钙钛矿结构氧化物陶瓷靶材；使用以上靶材采用脉冲激光沉积技术在晶向为(100)的SrTiO<subgt;3</subgt;单晶基底上制备得到“氧化物薄膜/水溶性薄膜/SrTiO<subgt;3</subgt;”异质结构；采用水溶法，将异质结构中的受主掺杂的钙钛矿结构单晶氧化物薄膜剥离，制备得到柔性“氧化物薄膜/Au/PI”异质结构；采用磁控溅射法在“氧化物薄膜/Au/PI”异质结构上生长阵列结构Au顶电极，制备得到“Au/氧化物薄膜/Au/PI”异质结构的柔性阻变存储器。采用提供的制备方法制得的器件整体功耗小、寿命长、存储信息量大、缺陷少、可集成化、小型化，也可满足柔性化、集成化的应用场景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及但不限于柔性阻变存储器，具体涉及一种基于单晶氧化物的柔性阻变存储器及其制备方法。

技术介绍

1、阻变存储器作为一种新兴的非易失性存储器技术，由于其具备非易失性、高密度、快速读写速度以及低能耗等特点，因此在多个领域有着广泛的应用潜力。在阻变存储器中，金属氧化物基阻变存储器作为下一代存储技术的重要候选者之一，具有非易失性、高速度、高密度、低功耗等优点，已在消费电子设备、嵌入式系统、数据中心和服务器、固态硬盘、人工智能与机器学习、军事与航空航天、医疗设备等方面逐渐应用。

2、然而，金属氧化物基阻变存储器的阻变层以多晶态氧化铪(hfo2)、氧化钛(tio2)、氧化镍(nio)等材料为主，其不足之处主要有以下两点：(1)多晶态材料作为阻变层会引入晶粒与晶粒之间的缺陷，使得存储器的读写电压高，进而导致功耗增大及寿命缩短等问题；(2)多晶态金属氧化物的结晶需要较高的温度，使得器件必须依附于耐高温衬底(例如：硅基衬底)，难以满足器件柔性化、集成化应用场景的需求。

技术实现思路

1、本专利技术的目的：本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于单晶氧化物的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种基于单晶氧化物的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种基于单晶氧化物的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述的步骤1.3包括：

4.根据权利要求2所述的一种基于单晶氧化物的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述的步骤1.4包括：

5.根据权利要求2所述的一种基于单晶氧化物的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述的步骤1.5包括：

6.根据权利要求1所述的一种基于单晶氧化物的柔性...

【技术特征摘要】

1.一种基于单晶氧化物的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种基于单晶氧化物的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种基于单晶氧化物的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述的步骤1.3包括：

4.根据权利要求2所述的一种基于单晶氧化物的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述的步骤1.4包括：

5.根据权利要求2所述的一种基于单晶氧化物的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述的步骤1.5包括：

6.根据权利要求1所述的一种基于单晶氧化物的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王添，宇峰，郭艺婷，谢晓帆，杨峰，
申请(专利权)人：中航西安飞机工业集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：