一种基于串联电感补偿的超宽带低附加相移数控衰减器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于串联电感补偿的超宽带低附加相移数控衰减器，包括：第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、输入端口、输出端口、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电感和第二电感，第一开关晶体管的源极连接输入端口，第一开关晶体管的漏极连接输出端口，所述第二开关晶体管的源极连接输入端口，第二开关晶体管的漏极连接第二电阻的第一端，第一电感、第一电阻和第二电感依次串联在输入端口与输出端口之间，结构简洁，不会占用过多的芯片面积，可以有效的降低数控衰减器的附加相移。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数控衰减器领域，特别是涉及一种基于串联电感补偿的超宽带低附加相移数控衰减器。

技术介绍

1、在现代通信系统中，数字衰减器广泛应用于信号的幅度调节。随着微波通讯技术的不断发展，对数字衰减器的带宽、附加相移、衰减精度及插入损耗等性能有了更高的要求。在高频、高速信号处理中，数字衰减器的性能不仅要求高精度、低噪声以及宽频带，还需具备低相位误差，以保证信号的质量。

2、现有衰减器大部分是基于t型开关结构或者pi型开关结构，pi型开关结构的电路结构简单紧凑，插入损耗较小，同时具有较小的电压驻波比。在工作过程中，pi型开关结构采用参考态和衰减态两种状态达到衰减信号的目的，但因为参考态对相位有滞后作用，衰减态对相位有超前作用，因此在两种状态之间不可避免地会产生相位差值，即附加相移。普通数字衰减器在处理超宽带信号时，普遍存在相位误差增大、增益不平坦等问题。这些问题严重影响了信号的传输质量，特别是在宽频带系统和高速数字通信领域，需要进行改进。

技术实现思路

1、本专利技术主要解决的技术问题是提供一种基于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于串联电感补偿的超宽带低附加相移数控衰减器其特征在于，包括：第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2、第三开关晶体管M3、输入端口IN、输出端口OUT、第一电阻Rs、第二电阻Rp1、第三电阻Rp2、第一电感Ls1和第二电感Ls2，所述第一开关晶体管M1的源极连接输入端口IN，所述第一开关晶体管M1的漏极连接输出端口OUT，所述第一开关晶体管M1的栅极连接第一数控信号，所述第二开关晶体管M2的源极连接输入端口IN，所述第二开关晶体管M2的漏极连接第二电阻Rp1的第一端，所述第二开关晶体管M2的栅极连接第二数控信号，所述第三开关晶体管M3的源极连接输出端口OUT，所述第三开关晶体管M...

【技术特征摘要】

1.一种基于串联电感补偿的超宽带低附加相移数控衰减器其特征在于，包括：第一开关晶体管m1、第二开关晶体管m2、第三开关晶体管m3、输入端口in、输出端口out、第一电阻rs、第二电阻rp1、第三电阻rp2、第一电感ls1和第二电感ls2，所述第一开关晶体管m1的源极连接输入端口in，所述第一开关晶体管m1的漏极连接输出端口out，所述第一开关晶体管m1的栅极连接第一数控信号，所述第二开关晶体管m2的源极连接输入端口in，所述第二开关晶体管m2的漏极连接第二电阻rp1的第一端，所述第二开关晶体管m2的栅极连接第二数控信号，所述第三开关晶体管m3的源极连接输出端口out，所述第三开关晶体管m3的漏极连接第三电阻rp2的第一端，所述第三开关晶体管m3的栅极连接第二数控信号，所述第一电感ls1、第一电阻rs和第二电感ls2依次串联在输入端口in与输出端口out之间。

2.根据权利要求1所述的基于串联电感补偿的超宽带低附加相移数控衰减器，其特征在于，所述第二电阻rp1的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷绍宇，张钰英，梁晓新，
申请(专利权)人：昆山鸿永微波科技有限公司，
类型：发明
国别省市：