【技术实现步骤摘要】
本技术属于多晶硅加工,具体涉及多晶硅打磨处理装置。
技术介绍
1、多晶硅晶体的生长是晶体硅太阳能电池生产的重要环节,其晶体生长所用的硅料多是晶体硅锭开方后的边皮料、头料和尾料,而为了减少边皮料、头料和尾料的表面杂质对晶体硅锭的后续处理环节的影响,需要对回收料表面进行打磨处理。
2、经检索现有公开专利号:cn210968195u,公开专利名称:一种多晶硅打磨处理装置,包括有磨具,所述磨具包括多个磨轮组,所述磨轮组自多晶硅两侧边缘向中央且以左右交替渐进的顺序与多晶硅接触,打磨多晶硅的表面。本技术具有负载可调、多晶硅表面打磨厚度均匀、减少磨轮打磨边缘线的痕迹、增加多晶硅表面光滑度等优点,但是上述方案在对多晶硅打磨时不方便对不同尺寸的多晶硅进行夹持和打磨,同时上述方案不方便对多晶硅进行下料,从而影响了该打磨装置的实用性。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供多晶硅打磨处理装置,旨在解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:
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...【技术保护点】
1.多晶硅打磨处理装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的多晶硅打磨处理装置,其特征在于,所述支撑架(101)的表面安装有防护罩(102),所述防护罩(102)的表面转动连接有两个保护门(103)。
3.根据权利要求1所述的多晶硅打磨处理装置,其特征在于,所述打磨座(104)的表面安装有两个第一限位轨(118),且第一安装板(107)滑动连接于第一限位轨(118)的表面。
4.根据权利要求1所述的多晶硅打磨处理装置,其特征在于,所述第一安装板(107)的表面安装有两个第二限位轨(119),且第二安装板(110)滑动连接于第
...【技术特征摘要】
1.多晶硅打磨处理装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的多晶硅打磨处理装置,其特征在于,所述支撑架(101)的表面安装有防护罩(102),所述防护罩(102)的表面转动连接有两个保护门(103)。
3.根据权利要求1所述的多晶硅打磨处理装置,其特征在于,所述打磨座(104)的表面安装有两个第一限位轨(118),且第一安装板(107)滑动连接于第一限位轨(118)的表面。
4.根据权利要求1所述的多晶硅打磨处理装置,其特征在于,所述第一安装板(107)的表面安装有两个第二限位轨(119),且第二安装板(110)滑动连接于第二限位轨(119)的表面。
5.根据权利要求1所述的多晶硅打磨处理装置,其特征在于,所述第二安装板(110)的表...
【专利技术属性】
技术研发人员:王亚楠,
申请(专利权)人:上海灏淇新能源科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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