三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物、光电器件和显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物、光电器件和显示装置，三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物具有式(I)所示的结构：本申请所述的三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物以三氮唑并吩噻嗪二氧化物为核心结构，一方面，吩噻嗪中的硫原子的氧化，能够有效钝化硫原子的孤对电子，提升化合物的稳定性；另一方面，将三氮唑引入吩噻嗪结构中，形成的苯并三氮唑结构，可以作为紫外吸收剂，吸收进入到化合物中的紫外线，减少紫外线对化合物的损伤，再一方面，三氮唑的结构还可以有效调节整个化合物分子骨架上的电子密度，更有利于空穴的迁移，进而提升化合物的光电性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光电器件，尤其涉及一种三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物、光电器件和显示装置。

技术介绍

1、吩噻嗪二氧化物及其衍生物因具有优异的载流子传输性能而被用于电子器件中，例如光电器件的功能层中。

2、但是，由于这类有机化合物自身具有共轭结构，容易在紫外光的照射下发生电子的跃迁，引起化学键断裂，生成自由基、离子等活性物种，从而干扰引发一系列化学反应，使其分子结构改变，稳定性下降。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供一种三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物，旨在改善现有的吩噻嗪二氧化物及其衍生物稳定性较低的问题。

2、本申请实施例是这样实现的，一种三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物，具有式(i)所示的结构：

3、

4、其中，

5、r1选自h、取代或未取代的c1-c20的链烷基、取代或未取代的c3-c20的环烷基、取代或未取代的c1-c20的烷氧基、取代或未取代的c1-c20的烷硫基、取代或未取代的c6-c20的芳基、取代或未取代的c3-c20的杂芳基，其中，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物，其特征在于，具有式(I)所示的结构：

2.如权利要求1所述的三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物，其特征在于，具有式(II)所示的结构：

3.如权利要求2所述的三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物，其特征在于，

4.如权利要求1～3任意一项所述的三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物，其特征在于，所述D1、D3各自独立选自式1-1至1-22所示结构中的任意一种：

5.如权利要求1所述的三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物，其特征在于，所述三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物选自式M1至式M14所示的化合物中的任意一种：

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【技术特征摘要】

1.一种三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物，其特征在于，具有式(i)所示的结构：

2.如权利要求1所述的三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物，其特征在于，具有式(ii)所示的结构：

3.如权利要求2所述的三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物，其特征在于，

4.如权利要求1～3任意一项所述的三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物，其特征在于，所述d1、d3各自独立选自式1-1至1-22所示结构中的任意一种：

5.如权利要求1所述的三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物，其特征在于，所述三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物选自式m1至式m14所示的化合物中...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴瀚伦，敖资通，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：