【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体测试，尤其涉及一种基于声呐技术测量晶片上的薄膜应力的方法及装置。
技术介绍
1、晶片(wafer)生产过程中，经常需要在晶片表面上沉积各种材质的薄膜，不同厚度的薄膜对产品的性能具有不同的作用。由于薄膜的厚度不同会导致晶片上的应力存在差异，因此，对薄膜应力进行测量具有重要意义。
2、当前，对沉积薄膜后的晶片进行应力测量时，普遍采用光学测量的方式。但由于一些薄膜(例如金属薄膜)存在吸收光的特性，会对测量时的灵敏度和精度造成不利影响，因而采用光学测量方式容易受到薄膜材质的限制。此外，光学测量方式还存在算法复杂、测量成本较高以及技术不够成熟等诸多问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种薄膜应力测量方法及装置。
2、为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：
3、本专利技术提供一种薄膜应力测量方法，包括：
4、获取薄膜形成前后的测量对象表面一定方向上的反射声波，得到所述薄膜形成前后的所述测量...
【技术保护点】
1.一种薄膜应力测量方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜应力测量方法，其特征在于，所述获取薄膜形成前后的测量对象表面一定方向上的反射声波，得到所述薄膜形成前后的所述测量对象表面的形变量曲线，包括：
3.根据权利要求1所述的薄膜应力测量方法，其特征在于，所述根据所述形变量曲线，得到所述薄膜作用于所述测量对象上的应力，包括：
4.根据权利要求2所述的薄膜应力测量方法，其特征在于，所述一定方向包括沿所述测量对象中心至边缘的任意一条直线所在的方向。
5.根据权利要求4所述的薄膜应力测量方法，其特征在于，所述基准...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜应力测量方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜应力测量方法，其特征在于，所述获取薄膜形成前后的测量对象表面一定方向上的反射声波，得到所述薄膜形成前后的所述测量对象表面的形变量曲线，包括：
3.根据权利要求1所述的薄膜应力测量方法，其特征在于，所述根据所述形变量曲线，得到所述薄膜作用于所述测量对象上的应力，包括：
4.根据权利要求2所述的薄膜应力测量方法，其特征在于，所述一定方向包括沿所述测量对象中心至边缘的任意一条直线所在的方向。
5.根据权利要求4所述的薄膜应力测量方法，其特征在于，所述基准点包括所述测量对象的中心点或沿所述一定方向的边缘上的点。
6.根据权利要求2所述的薄膜应力测量方法，其特征在于，所述特定波长的声波包括超声波。
7.根据权利要求2所述的薄膜应力测量方法，其特征在于，所述特定波长包括850nm。
8.一...
【专利技术属性】
技术研发人员：李永欢，王杰，时均，林瑶，苑振涛，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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