芯片封装结构及域控制器制造技术

技术编号:44824014 阅读:32 留言:0更新日期:2025-03-28 20:14
公开了一种芯片封装结构及域控制器,其中,芯片封装结构包括:发热芯片;基板,基板承载发热芯片;散热盖,散热盖与基板盖合,使得发热芯片位于基板、散热盖的内底壁以及散热盖的内侧壁围成的容纳空间内;导热介质,导热介质夹设于发热芯片背离基板的第一表面与内底壁的第一区域之间;加强结构,加强结构抵接于内底壁除了第一区域之外的第二区域,加强结构还抵接于内侧壁,加强结构朝向发热芯片的第二表面满足:越靠近内侧壁的部位与第二区域的距离越大,越远离内侧壁的部位与第二区域的距离越小。本公开的实施例能够保证芯片封装结构的散热性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及芯片技术,尤其是一种芯片封装结构及域控制器


技术介绍

1、目前,芯片封装结构的应用较为广泛。芯片封装结构的类型例如可以是倒装芯片球栅格阵列(flip chip ball grid array,fcbga)类型。相关技术中,芯片封装结构的散热性能不佳,如何提升芯片封装结构的散热性能对于本领域技术人员而言是一个值得关注的问题。


技术实现思路

1、为了解决上述技术问题,本公开提供了一种芯片封装结构及域控制器。

2、根据本公开实施例的一个方面,提供了一种芯片封装结构,包括:

3、发热芯片;

4、基板,所述基板承载所述发热芯片;

5、散热盖,所述散热盖与所述基板盖合,使得所述发热芯片位于所述基板、所述散热盖的内底壁以及所述散热盖的内侧壁围成的容纳空间内;

6、导热介质,所述导热介质夹设于所述发热芯片背离所述基板的第一表面与所述内底壁的第一区域之间;

7、加强结构,所述加强结构抵接于所述内底壁除了所述第一区域之外的第二区域,所述加强结构还本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片封装结构,包括:

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,还包括:

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其中,所述第二表面(501)是平面,所述平面的斜率与所述电子元器件(60)的结构参数以及所述电子元器件(60)相对于所述基板(20)的布局适配,以利于所述电子元器件(60)与所述加强结构(50)之间具有间隙。

4.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其中,所述第二表面(501)是曲面,所述曲面的曲率与所述电子元器件(60)的结构参数以及所述电子元器件(60)相对于所述基板(20)的布局适配,以利于所述电子元器件(60)与所述加强结构(50)...

【技术特征摘要】

1.一种芯片封装结构,包括:

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,还包括:

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其中,所述第二表面(501)是平面,所述平面的斜率与所述电子元器件(60)的结构参数以及所述电子元器件(60)相对于所述基板(20)的布局适配,以利于所述电子元器件(60)与所述加强结构(50)之间具有间隙。

4.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其中,所述第二表面(501)是曲面,所述曲面的曲率与所述电子元器件(60)的结构参数以及所述电子元器件(60)相对于所述基板(20)的布局适配,以利于所述电子元器件(60)与所述加强结构(50)之间具有间隙。

5.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其中,所述加强结构(50)是实心结构,所述加强结构(50)设置有槽口位于所述第二表面(501)的减重...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭茂张敏
申请(专利权)人:地平线征程上海科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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