一种SnO2电子传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池技术

本发明专利技术提供一种SnO<subgt;2</subgt;电子传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池，SnO<subgt;2</subgt;电子传输层的制备方法包括：(1)使锡源热蒸发至导电玻璃上形成膜层；锡源选自SnO、Sn或SnCl<subgt;2</subgt;；(2)在膜层上涂覆SnO<subgt;2</subgt;前驱体溶液，然后空气退火，在导电玻璃上形成SnO<subgt;2</subgt;电子传输层。本发明专利技术使用锡源热蒸发形成薄的膜层，然后涂覆SnO<subgt;2</subgt;前驱体溶液，仅经一次退火过程，锡源所形成的膜层与前驱体协同进行二氧化锡原位生长，制备得到致密性好、晶化程度高的二氧化锡薄膜，并实现了在基底上的均匀覆盖。该方法具有可规模化、高重复性和高良品率的优点，最终得到均匀致密、电子传输能力强的电子传输层。本发明专利技术基于上述电子传输层构建的钙钛矿太阳能电池，其光电转换效率和稳定性等性能显著提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及钙钛矿太阳能电池，具体涉及一种sno2电子传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池。

技术介绍

1、在光伏领域中，电子传输层是指太阳能电池中用来传输光生载流子(即光生电子和空穴)的关键层。光伏电池是一种将太阳光能转化为电能的装置，其中电子传输层扮演着重要的角色。尤其在正置结构的太阳能电池中，电子传输层作为首先接触太阳光的膜层，其基底作用尤其关键。这要求电子传输层不仅具备良好的电子传输和空穴阻挡能力，还要作为钙钛矿成膜的基底，具备致密、稳定、平整的特性，同时表现出良好的材料稳定性和界面稳定性。

2、目前，常用的电子传输层主要集中在无机电子传输层，例如二氧化钛、氧化锌和二氧化锡(sno2)等。随着研究的深入和技术的发展，sno2因其高电子迁移率(100～200cm2·v/s)和良好的稳定性(相比二氧化钛的紫外稳定性差和氧化锌易吸附羟基而导致钙钛矿稳定性降低)，以及能够低温制备的特性，展现了产业化扩展的广阔前景。

3、传统的sno2电子传输层制备，无论是化学浴沉积(chemical bath deposition,cbd)、使用本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SnO2电子传输层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中使锡源热蒸发至导电玻璃上形成膜层包括如下步骤：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，得自步骤(1)的所述膜层的厚度为1～20nm，优选为1～15nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，得自步骤(2)的所述SnO2电子传输层的厚度为2～50nm，优选为20～40nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述退火在大气环境中150～500℃进行0.25～12h，优选在150～...

【技术特征摘要】

1.一种sno2电子传输层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中使锡源热蒸发至导电玻璃上形成膜层包括如下步骤：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，得自步骤(1)的所述膜层的厚度为1～20nm，优选为1～15nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，得自步骤(2)的所述sno2电子传输层的厚度为2～50nm，优选为20～40nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述退火在大气环境中150～500℃进行0.25～12h，优选在150～400℃进行0.25～4h，进一步优选首先经15～45min由80～120℃升温至18...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴炳辉，杨剑豪，张宇，郑南峰，
申请(专利权)人：嘉庚创新实验室，
类型：发明
国别省市：