一种氧掺杂CZTSSe/CdS异质结缺陷态钝化方法技术

本发明专利技术提出一种氧掺杂CZTSSe/CdS异质结缺陷态钝化方法；通过在CZTSSe/CdS异质结区形成氧掺杂，抑制结内的载流子复合，实现膜层和界面缺陷态的钝化；掺杂的氧原子占据CdS膜中的硫空位点，钝化V<subgt;S</subgt;缺陷，降低电荷复合；氧掺杂提高CdS薄膜的费米能级位置，实现CZTSSe/CdS界面处良好的能带对准，提高电荷的输运能力；本发明专利技术操作简单有效，成本低，不仅有利于提高CZTSSe太阳能电池性能，而且满足大规模批量生产的要求，具有较强的推广意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜太阳能电池领域，具体涉及一种氧掺杂cztsse/cds异质结缺陷态钝化方法。

技术介绍

1、无机材料(gaas、cigs和cdte)已被广泛用于薄膜太阳能电池的吸收层，但其有毒成分（cd、as）和昂贵的稀有元素（in、ga）阻碍了其大规模商业化。与cigs材料结构相似的cu2znsn(s,se)4(cztsse)材料因其对环境友好且元素组成丰富，可以避免上述问题，被认为是很有前途的吸收层材料。此外，cztsse材料具有吸收系数高、材料稳定性好、带隙可调等优点，具有制备低成本、高效率的薄膜太阳能电池的潜力。

2、目前，cztsse太阳能电池的功率转换效率已经实现15%的突破，但与基于gaas、cigs和cdte吸收层的无机薄膜太阳能电池的效率相比仍有一定的差距。制约cztsse太阳能电池效率提升的关键因素之一是cztsse/cds异质结中的缺陷和不良的能带对准导致的严重载流子复合，因此，cztsse/cds异质结的缺陷钝化是突破电池效率的有效途径。

3、已报道的改善cztsse/cds异质结的方案如下：通过优化硒化工本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧掺杂CZTSSe/CdS异质结缺陷态钝化方法，其特征在于，在CZTSSe/CdS异质结区形成氧掺杂，抑制载流子复合，实现膜层和界面缺陷态的钝化；在CdS膜层内，掺杂的氧原子占据硫空位点，钝化硫空位缺陷；氧掺杂提高CdS薄膜的费米能级位置，实现CZTSSe/CdS界面处的能带对准，促进载流子输运，降低界面复合。

2.一种氧掺杂CZTSSe/CdS异质结缺陷态钝化方法，其特征在于，包括如下步骤：

3.一种氧掺杂CZTSSe/CdS异质结缺陷态钝化方法，其特征在于，所述S1中CZTSSe前驱体薄膜的制备方法包括磁控溅射法、溶液旋涂法、喷涂法或电沉积法。

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【技术特征摘要】

1.一种氧掺杂cztsse/cds异质结缺陷态钝化方法，其特征在于，在cztsse/cds异质结区形成氧掺杂，抑制载流子复合，实现膜层和界面缺陷态的钝化；在cds膜层内，掺杂的氧原子占据硫空位点，钝化硫空位缺陷；氧掺杂提高cds薄膜的费米能级位置，实现cztsse/cds界面处的能带对准，促进载流子输运，降低界面复合。

2.一种氧掺杂cztsse/cds异质结缺陷态钝化方法，其特征在于，包括如下步骤：

3.一种氧掺杂cztsse/cds异质结缺陷态钝化方法，其特征在于，所述s1中cztsse前驱体薄膜的制备方法包括磁控溅射法、溶液旋涂法、喷涂法或...

【专利技术属性】
技术研发人员：程树英，张禹恒，孙全震，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：