【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，尤其涉及一种蚀刻液和半导体器件的制备方法。
技术介绍
1、半导体器件内的晶体管结构中，通常设置有侧墙结构，侧墙结构通常使用介电常数较低的材料，用以隔离栅极和源漏极，以降低晶体管结构内的寄生电容，而空气则被认为是最为理想的低介电常数材料。因此，采用空气侧墙可以大幅减小器件寄生电容，有效的提高器件和电路工作速度。但是空气侧墙在制备过程中容易对半导体器件内的其他结构造成过刻，从而影响半导体器件的良率和性能。
技术实现思路
1、本申请的目的是至少解决如何提升半导体器件的性能的问题。该目的是通过以下技术方案实现的：
2、本申请的第一方面提出了一种蚀刻液，用于刻蚀氮化硅，所述蚀刻液包括：
3、磷酸溶液和有机溶剂，所述有机溶剂包括烯丙基三甲氧基硅烷有机溶剂和乙烯基三甲氧基硅烷有机溶剂中的一者。
4、上述实施方式中，蚀刻液用于刻蚀氮化硅，该蚀刻液对氮化硅与二氧化硅的刻蚀选择比较高，且该蚀刻液对氮化硅与二氧化铪的刻蚀选择比较高，从而可在去除氮化硅的同时降...
【技术保护点】
1.一种蚀刻液，用于刻蚀氮化硅，其特征在于，所述蚀刻液包括：
2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述磷酸溶液浓度范围为80％-90％，所述有机溶剂的纯度范围为90％-99％，所述有机溶剂的浓度范围为0.1％-10％。
3.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述晶体管结构包括位于所述基底一侧的沟道层堆栈部，所述沟道层堆栈部包括沿第一方向排列的多个沟道层，所述沟道层包括沿第二方向排列的第一端、中间段和第二端，所述第一方向与所述第二方向垂直；
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【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液，用于刻蚀氮化硅，其特征在于，所述蚀刻液包括：
2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述磷酸溶液浓度范围为80％-90％，所述有机溶剂的纯度范围为90％-99％，所述有机溶剂的浓度范围为0.1％-10％。
3.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述晶体管结构包括位于所述基底一侧的沟道层堆栈部，所述沟道层堆栈部包括沿第一方向排列的多个沟道层，所述沟道层包括沿第二方向排列的第一端、中间段和第二端，所述第一方向与所述第二方向垂直；
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述将蚀刻液与所述侧墙牺牲结构接触，以去除所述侧墙牺牲结构的步骤包括：
6.根据权利要求5所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张青竹，李恋恋，殷华湘，王鹏，蒋任婕，张渼荷，曹磊，李庆坤，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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