MOS器件和MOS器件的制备方法技术

本申请公开了一种MOS器件和MOS器件的制备方法，包括至少一个源极沟槽结构，位于相邻两个第一侧面之间并与源区结构接触设置，源极沟槽结构包括第一栅极、第二栅极、第一介质层和第二介质层，第一介质层位于第一栅极和第二栅极之间，第一栅极、第二栅极和第一介质层构成第一结构，第二介质层分别位于第一结构的侧面和底面并与源区结构和漂移层接触，第一介质层至少包括由第二方向叠层设置第一材料层和第二材料层，第一材料层的材料具有的介电常数大于与第二材料层的材料具有的介电常数，第二方向为由衬底指向源区结构的方向。以解决相关技术中MOS器件中源漏之间反向漏电流损坏器件和源漏之间耦合面积较大导致功耗较大的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种mos器件和mos器件的制备方法。

技术介绍

1、硅基igbt统治了高压高电流场景，但硅基igbt无法承受高频工况、且功耗较大等，而sic耐高压耐高温的特性，使得其仅用结构更简单的mosfet器件就能覆盖硅基igbt耐压水平，同时规避其高能耗的缺点。碳化硅基mosfet在相同环境下，对比同规格硅基igbt能量损失减少66％，主要来自于开关损耗的大幅减少。在新能源汽车行业，sic可用于驱动和控制电机的逆变器、车载充电器和快速充电桩等。在光伏发电上，目前光伏逆变器龙头企业已采用sic功率器件替代硅器件。

2、sic mosfet在电力电子系统中主要充当电子开关，当mosfet处于截止状态时，漏极和源极之间会有一个反向的漏电流，如果不加二极管反并联，这个漏电流可能会导致电路中其他器件的损坏。另外，当sic mosfet用于交流电路的整流时，由于mosfet只能在正向电压下导通，需要使用一个反并联二极管来提供反向电压下的导通通道，从而实现电流的整流。故通常需要在sic mosfet体外反并联或者体内集成一个二极管以改本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOS器件，其特征在于，包括多个元胞，所述元胞包括衬底以及位于所述衬底一侧的漂移层，所述漂移层具有背离所述衬底的第一表面，所述元胞还包括：

2.根据权利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述第一材料层的材料包括高K材料，所述第二材料层的材料包括低K材料。

3.根据权利要求2所述的MOS器件，其特征在于，所述第一介质层还包括第三材料层，所述第三材料层位于所述第二材料层背离所述第一材料层的一侧，所述第三材料层的材料包括具有防水性能的绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述第一材料层在所述第二方向上具有第一厚度，所述第二材料...

【技术特征摘要】

1.一种mos器件，其特征在于，包括多个元胞，所述元胞包括衬底以及位于所述衬底一侧的漂移层，所述漂移层具有背离所述衬底的第一表面，所述元胞还包括：

2.根据权利要求1所述的mos器件，其特征在于，所述第一材料层的材料包括高k材料，所述第二材料层的材料包括低k材料。

3.根据权利要求2所述的mos器件，其特征在于，所述第一介质层还包括第三材料层，所述第三材料层位于所述第二材料层背离所述第一材料层的一侧，所述第三材料层的材料包括具有防水性能的绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的mos器件，其特征在于，所述第一材料层在所述第二方向上具有第一厚度，所述第二材料层在所述第二方向上具有第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。

5.根据权利要求1所述的mos器件，其特征在于，所述第二介质层包括叠层设置的第一栅氧层和第四材料层，所述第一栅氧层分别位于与所述漂移层接触的所述第一结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉斌，李理，邱舜国，宋旋坤，刘颖聪，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：