堆叠石墨烯等离子体太赫兹光发射器及其制备和应用制造技术

本发明专利技术公开一种堆叠石墨烯等离子体太赫兹光发射器及其制备和应用。该光发射器，使用如下方法在SiO<subgt;2</subgt;衬底上堆叠石墨烯膜而成：对沉降有石墨烯的铜箔浸泡在刻蚀液中进行铜箔的初步刻蚀；去除铜箔下层石墨烯，得到仅在上层覆盖有石墨烯膜的铜箔；取能漂浮在刻蚀液中的软质材料，在中部作出一个与铜箔大小相当的孔洞，使得软质材料漂浮在刻蚀液表面，将去除下层石墨烯的铜箔放入孔洞中，直到铜箔全部刻蚀刻完，石墨烯膜存在于孔洞的位置；抽走刻蚀液，用去离子水将刻蚀液清洗干净，并使得软质材料漂浮于去离子水表面；放入低p掺杂的SiO<subgt;2</subgt;衬底，使石墨烯膜处于低p掺杂的SiO<subgt;2</subgt;衬底的正上方，抽走去离子水，得到堆叠石墨烯等离子体太赫兹光发射器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微纳光控，具体涉及一种堆叠石墨烯等离子体太赫兹光发射器及其制备和应用。

技术介绍

1、太赫兹光电子学的基础研究和器件近年来受到广泛关注，被用于光探测、光调制和光发射等领域。该技术以贵金属、半导体等为原材料，贵金属中的表面等离子体能够将固有的集体电荷振荡直接转换为自由空间辐射。在太赫兹发射器中，发射材料作为发射装置的核心部分，且材料的性质会对器件发射能力产生极大影响。目前所使用的大多发射器使用贵金属，在使用过程中难免会出现因高阻尼引起的不可调谐和不稳定等问题，大大影响使用效能并限制应用场景。

技术实现思路

1、为了增加太赫兹光发射器的选择空间，以及提供结构更紧凑、载流子迁移率更高的太赫兹光发射器，作出本专利技术。

2、作为本专利技术的一个方面，涉及一种堆叠石墨烯等离子体太赫兹光发射器，使用如下方法在sio2衬底上堆叠石墨烯膜而成：

3、(1)对沉降有石墨烯的铜箔浸泡在刻蚀液中进行铜箔的初步刻蚀；

4、(2)去除铜箔下层石墨烯，得到仅在上层覆盖有石墨烯膜的铜箔；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种堆叠石墨烯等离子体太赫兹光发射器，其特征在于，使用如下方法在SiO2衬底上堆叠石墨烯膜而成：

2.如权利要求1所述的堆叠石墨烯等离子体太赫兹光发射器，其特征在于，所述方法还包括，通过重复步骤(1)－(5)，不断增加在低p掺杂的SiO2衬底上堆叠石墨烯膜的层数。

3.如权利要求1所述的堆叠石墨烯等离子体太赫兹光发射器，其特征在于，所述刻蚀液由九水合硝酸铁、浓盐酸和去离子水按照1g:1mL:25mL的比例配制。

4.如权利要求1所述的堆叠石墨烯等离子体太赫兹光发射器，其特征在于，所述沉降有石墨烯的铜箔通过化学气相沉积法制得。p>

5.一种堆...

【技术特征摘要】

1.一种堆叠石墨烯等离子体太赫兹光发射器，其特征在于，使用如下方法在sio2衬底上堆叠石墨烯膜而成：

2.如权利要求1所述的堆叠石墨烯等离子体太赫兹光发射器，其特征在于，所述方法还包括，通过重复步骤(1)－(5)，不断增加在低p掺杂的sio2衬底上堆叠石墨烯膜的层数。

3.如权利要求1所述的堆叠石墨烯等离子体太赫兹光发射器，其特征在于，所述刻蚀液由九水合硝酸铁、浓盐酸和去离子水按照1g:1ml:25ml的比例配制。

4.如权利要求1所述的堆叠石墨烯等离子体太赫兹光发射器，其特征在于，所述沉降有石墨烯的铜箔通过化学气相沉积法制得。

5.一种堆叠石墨烯等离...

【专利技术属性】
技术研发人员：石振宇，李秀岩，王兆龙，
申请(专利权)人：北京慧养道健康科技有限公司，
类型：发明
国别省市：